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    可製造一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且減少眼睛疲勞，甚至在很長一段時間的情況下之光，第二發光元件發射明亮的紅色光，第三發光元發射綠光，及第四發光元件發射藍光。此外，透射特定色彩之光的層(例如，濾色器)中未提供於所有發光元件，除第二發光元件之外，因此，可有效地利用來自含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供能夠發射鮮明全彩色的光且功率消耗減少之發光面板。
    公开号:TW201301607A
    申请号:TW101109663
    申请日:2012-03-21
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Nobuharu Ohsawa；Toshiki Sasaki；Satoshi Seo
    申请人:Semiconductor Energy Lab；
    IPC主号:H01L27-00
    专利说明:
    發光面板，發光裝置，及用以製造發光面板之方法
    本發明關於一種發光面板、一種包括該發光面板之發光裝置及一種用以製造發光面板之方法。
    行動電話、個人電腦、智慧型手機、電子書閱讀器、等等已經被廣泛使用，且在我們的生活中使用顯示裝置的時間長度也因此而增加。
    因為這些電子裝置現被普遍使用，所以彼等也可用於以往以文具進行的的簡單工作。具體而言，以往用筆記本完成的時程管理、地址列表管理、作筆記、等等現在都用以智慧型手機為代表的多功能電子裝置進行。
    一種其中含有具有薄膜形狀之發光有機化合物之層(也稱為EL層)提供在電極對之間的發光元件為已知。該類發光元件稱為(例如)有機EL元件，且當電壓施加於該對電極之間時，可從發光有機化合物獲得光發射。照明裝置、顯示裝置、等等已知為包括有機EL元件之發光裝置。包括有機EL元件之顯示裝置的例子係揭示於專利文獻1中。 [參考文獻]
    [專利文獻1]日本公開專利申請案第2002-324673號。 發明概述
    期望手提式資訊終端機可使用很長一段時間而無需頻繁充電、重量輕、並具有優異的便攜性。包括在手提式資訊終端機中之顯示裝置除了低功耗和亮度之外，需要減少眼睛疲勞，即使在長時間使用的情況下，並可以很容易地製造。不用說，在顯示裝置需要顯示高清晰度影像並再現清晰的移動影像；然而，在一些情況下優先性放在減少功率消耗，而不是增加可顯示的色彩數目，例如，在顯示裝置代替文具之情況下。注意：鑑於節省資源、節能和高附加價值，上述技術目標不僅包括在手提式電子裝置中所使用之顯示裝置中的發光裝置需要，且固定式發光裝置也需要。
    係鑑於前述技術背景進行本發明之具體實例。具體來說，本發明一具體實例之一目標為提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。本發明一具體實例之一目標為提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光裝置。本發明一具體實例之一目標為提供一種製造能夠多色顯示且其功率消耗被減少之發光面板的高生產性方法。
    為了達成上述目標，本發明著重於一種包括多個發光元件之結構，在該等發光元件各者中一光學調整層和發射多色光且插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間。發明人已達成一種如下所述之包括第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件的結構。在第一發光元件中，含有發光有機化合物之層(其係插在一對電極之間且發射包括具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光的光)係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。第一發光元件發射具有高亮度和淡色之光。在第二發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)，及進一步提供透射紅光之層以使與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。第三發光元件發射具有高飽和度和非紅色之色彩的光。使用該結構，達成上述目標。
    換句話說，本發明之一具體實例為一種發光面板，其包括第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件，在該等發光元件各者中光學調整層和插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間。含有發光有機化合物之層發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的光。第一發光元件和第二發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在一對反射膜和半透射且半反射膜之間的相等光徑長度。在第二發光元件中，提供透射紅光之層以使與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，一對反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。
    本發明一具體實例之發光面板包括第一發光元件，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；第二發光元件，其發射藉由提取通過透射紅光之層的混合光而獲得之紅光；及第三發光元件，其發射具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強。
    根據本發明之一具體實例，可製造一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，及第三發光元件發射不同於從第一發光元件和第二發光元件所發射之光的色彩之鮮明色彩的光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩的光之層(例如，濾色器)；因此，可有效使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。
    本發明之一具體實例為一種發光面板，其包括第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件及第四發光元件，在該等發光元件各者中，光學調整層和插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間。含有發光有機化合物之層發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光。第一發光元件和第二發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在一對反射膜和半透射且半反射膜之間的相等光徑長度。在第二發光元件中，提供透射紅光之層以使與半透射且半反射膜重疊。第三發光元件中，一對反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於500 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。在第四發光元件中一對反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於500 nm之N/2(N為自然數)。
    本發明一具體實例之發光面板包括第一發光元件，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；第二發光元件，其發射藉由提取通過透射紅光之層的混合光而獲得之紅光；及第三發光元件，其發射具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光；及第四發光元件，其發射具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強。
    根據本發明之一具體實例，可製造一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，第三發光元件發射綠光，及第四發光元件發射藍光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩的光之層(例如，濾色器)；因此，可有效使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種鮮明全彩光發射且其功率消耗被減少之發光面板。
    本發明之一具體實例為發光面板，其中關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光，反射膜具有大於或等於1%，較佳大於或等於30%且小於100%之反射率，半透射且半反射膜具有大於或等於1%，較佳大於或等於5%且小於100%之反射率，及大於或等於1%，較佳大於或等於30%且小於100%之透射率。
    根據本發明之一具體實例，一對反射膜和半透射且半反射膜形成微共振器(也稱為微共振腔)。特別是，一種其中該光徑長度視在反射膜和半透射且半反射膜之間的距離而定為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)的發光元件發射具有窄半高寬、波長比紅光短及色彩鮮明的光。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。
    根據本發明之一具體實例，在發光面板中，光學調整層可具有電導性和也可充當電極對中的一者。
    當光學調整層也充當電極之一時，結構被簡化，此導致容易製造。
    根據本發明之一具體實例，在發光面板中，該半透射且半反射膜可具有電導性且也可充當電極對中的另一者。
    當半透射且半反射膜也充當電極對中的另一者時，結構被簡化，此導致容易製造。
    根據本發明之一具體實例，在發光面板中，反射膜可具有電導性且可電連接至電極對中的一者。
    使用上述結構，電功率可經由具有電導性之反射膜施加於電極對中的一者。結果，由於可抑制電極之一的電阻(例如，片電阻)，所以驅動電壓增加。因此，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。再者，發光面板具有簡化的結構，且因此可很容易地製造。
    根據本發明之一具體實例，在發光面板中，第一發光元件、第二發光元件和第三發光元件可包括含有發光有機化合物之層，其係以相同步驟形成。
    根據本發明之一具體實例，包括在第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件中的含有發光有機化合物之層可以相同步驟形成。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。再者，發光面板有簡化的結構，及因此可很容易地製造。
    本發明之一具體實例為一種包括任何發光面板之發光裝置。
    根據本發明之一具體實例，可製造一種包括發光面板作為顯示部分之發光裝置。結果，可提供一種能夠多色顯示且其功率消耗被減少之發光裝置。
    本發明之一具體實例為一種用以製造發光面板之方法，其包括下列步驟：在第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件和第四發光元件中形成導電性反射膜；在第一發光元件和第二發光元件中形成導電性光學調整層；在第三發光元件中形成光學調整層，其比提供在第一發光元件和第二發光元件中的光學調整層薄；在第四發光元件中形成比提供在第三發光元件中的光學調整層薄的光學調整層；形成含有發光有機化合物之層，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光，致使立即與第一發光層之光學調整層、第二發光元件之光學調整層、第三發光元件之光學調整層及第四發光元件之反射膜接觸；形成導電性半透射和半反射膜與第一發光層之光學調整層、第二發光元件之光學調整層、第三發光元件之光學調整層及第四發光層之反射膜重疊以便與含有發光有機化合物之層接觸；及形成透射紅光之層以便與第二發光元件之半透射且半反射膜重疊。
    根據本發明一具體實例之用以製造發光面板之方法，包括四種發射不同色彩的發光元件(具體來說，發射具有高亮度之紅色、綠色、藍色及淡色的光之發光元件)之發光面板可藉由形成二種具有不同厚度之光學調整層和紅色濾色器之步驟製造。結果，可提供一種用以製造能夠全彩光發射的發光面板之簡單方法。
    注意：在本說明書中“具有高亮度和淡色之光”表示具有高亮度和低色純度的光。例如，在具有紅色、綠色及藍色作為三原色之色度圖的情况下，存在於藉由連接紅色、綠色及藍色的色度點所形成的三角形內部中的色彩可被視為具有低於三原色的色純度的色彩。此外，白光可存在於接近三角形中心，其表示具有低色純度的光具有淡色。
    注意：在本說明書中“光徑長度”表示距離和折射率的乘積。因此，具有大於1之折射率的介質之光徑長度比實際距離長。注意：微共振器(也稱為微共振腔)之共振器中的光徑長度可藉由測量光學干擾獲得。具體來說，共振器中之光徑長度可如下方獲得：用分光光度計測定反射光對入射光的強度比且將所測得的強度比相對於波長作圖。
    在本說明書中，EL層係指提供在發光元件中的一對電極之間的層。因此。插在電極之間含有發光物質的有機化合物之發光層為EL層之一具體實例。
    在本說明書中，在其中物質A係分散在使用物質B所形成的基質中之情形下，形成基質的物質B稱為主體材料，及分散在該基質中的物質A稱為客體材料。注意：物質A和物質B各自可為單一物質或兩種或多種物質的混合物。
    注意：在本說明書中該發光裝置表示一種影像顯示裝置、一種發光裝置或一種光源(包括照明裝置)。此外，發光裝置其類別上包括任何下列模組：其中連接器諸如撓性印刷電路(FPC)、捲帶式自動接合(TAB)帶或帶載封裝(TCP)係連接於發光裝置的模組；具有其端部上備有印刷線路板之TAB帶或TCP的模組；及具有積體電路(IC)直接安裝在發光元件以玻璃覆晶(COG)方法在其上形成之基板上的模組。
    根據本發明之一具體實例，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。此外，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光裝置。此外，可提供一種用以製造能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板的高生產性方法。 發明之詳細說明
    將參考所附圖式詳細說明具體實例和實例。注意：本發明不被限制於下述說明且熟習該項技術者可容易地理解：在不背離本發明之精神和範圍下可進行各種改變和修正。因此，本發明不應被解釋為限制於下述具體實例和實例中之說明。注意：在下述本發明的結構中，在不同圖式中相同的部分或具有類似功能的部分係都以相同參考號表示且不重複該等部分之說明。 (具體實例1)
    在此具體實例中，將參照圖1A和1B說明一種包括第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件之發光面板。在第一發光元件中，含有發光有機化合物之層(其係插在一對電極之間且發射包括具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光的光)，提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。第一發光元件發射具有高亮度和淡色之光。在第二發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)，及進一步提供透射紅光之層以便與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。第三發光元件發射具有高飽和度及非紅色之色彩的光。
    將進行說明，具體來說，一種包括第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件之發光面板，在該等發光元件各者中，光學調整層和插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間。含有發光有機化合物之層發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的光。第一發光元件和第二發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在一對反射膜和半透射且半反射膜之間的相等光徑長度。在第二發光元件中，提供透射紅光之層以便與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中在反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。注意：“光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)”具體表示光徑長度為大於或等於300 nm且小於400 nm(即，N為1)，大於或等於600 nm且小於800 nm(即，N為2)，大於或等於900 nm且小於1200 nm(即，N為3)，等等。
    圖1A說明本發明一具體實例之發光面板的結構。圖1A中所說明之發光面板包括第一發光元件110、第二發光元件120及第三發光元件130。第一發光元件110包括反射膜111a、半透射且半反射膜112，及在反射膜111a和半透射且半反射膜112之間，光學調整層113a和插在一對電極(第一電極101a和第二電極102)之間的含有發光有機化合物之層103。第二發光元件120包括反射膜111b、半透射且半反射膜112，及在反射膜111b和半透射且半反射膜112之間，光學調整層113b和插在一對電極(第一電極101b和第二電極102)之間的含有發光有機化合物之層103。第三發光元件130包括反射膜111c、半透射且半反射膜112，及在反射膜111c和半透射且半反射膜112之間，光學調整層113c和插在一對電極之間(第一電極101c和第二電極102)的含有發光有機化合物之層103。
    另外，在第二發光元件中，透射紅光之層115係提供在半透射且半反射膜112側以便與反射膜111b重疊。
    <1.反射膜和半透射且半反射膜對的結構>
    反射薄膜(111a、111b及111c)反射具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光。特別是，反射薄膜較佳具有大於或等於1%，較佳大於或等於30%且小於100%之反射率，在該情況中從含有發光有機化合物之層103發射之光可被有效地反射。
    可使用於反射薄膜(111a、111b及111c)之材料的例子，可給予下列：鋁、銀、金、鉑、銅、含有鋁之合金(例如，鋁-鈦合金或鋁-釹合金)、含有銀之合金(銀-釹合金)、含有銀之合金(鎂-銀合金)、等等。
    半透射且半反射膜112部分反射和部分透射具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光。因此，透過半透射且半反射膜提取從含有發光有機化合物之層103發射之光。特別是，當反射率大於或等於1%，較佳大於或等於5%且小於100%且透射率大於或等於1%，較佳大於或等於10%且小於100%時，半透射且半反射膜和反射薄膜對之間形成微共振器。圖1A中所說明之發光面板150的第一發光元件之110的光徑長度取決於在反射膜111a和半透射且半反射膜112之間的距離(以箭頭151指示)。第三發光元件130之光徑長度取決於在反射膜111c和半透射且半反射膜112之間的距離(以箭頭153指示)。在此具體實例之第一發光元件和第二發光元件各者中，在一對反射膜和半透射且半反射膜之間形成的微共振器之光徑長度係調整至長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)；在第三發光元件中，在一對反射膜和半透射且半反射膜之間形成的微共振器之光徑長度係調整至長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。
    因此，第一發光元件發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其被微共振器增強。在混合光中，紅光成分與另一種顏色(例如，藍色)的光成分混合；因此，混合光之色彩具有低飽和度且存在於接近色度圖中之白色區的區中。因此，混合光可視為淡色的光。第二發光元件從混合光提取紅光。其中光徑長度被調整至大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)的第三發光元件發射具有窄半高寬和鮮明色彩(例如，藍色或綠色)之光，其被微共振器增強。
    作為半透射且半反射膜112，可使用具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光被其部分反射和光部分透過其的厚度之金屬薄膜。例如，使用類似於反射薄膜(111a、111b及111c)的材料可形成半透射且半反射膜112至大於或等於0.1 nm且小於100 nm之厚度。
    <2.光學調整層的結構>
    光學調整層透射具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光。特別是，光學調整層較佳具有大於或等於1%，較佳大於或等於30%且小於100%之透射率，在該情形中難以發生從含有發光有機化合物之層103發射的光之能量損失。
    作為可使用於光學調整層(113a、113b及113c)之材料的例子，可給予下列：氧化銦錫(ITO)、氧化矽、氟化鋰、氟化鎂、氧化鈦、氮氧化矽、氧化鋯、碳化鈦、等等。
    光學調整層調整在反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度。在圖1A中所說明之發光面板中，包括在第一發光元件110中之光學調整層113a、包括在第二發光元件120中之光學調整層113b及包括在第三發光元件130中之光學調整層113c各自調整在反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度。
    具體來說，光學調整層113a和光學調整層113b之各者與插在電極對之間的含有發光有機化合物之層103將光徑長度調整至長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。此外，包括在第三發光元件130中之光學調整層113c與含有發光有機化合物之層103一起將光徑長度調整至長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。
    注意：雖然其中光學調整層提供在反射膜(111a、111b或111c)和電極對中的一者之間結構說明於圖1A中，含有發光有機化合物之層103係插在該電極對之間並與電極接觸，但本發明之一具體實例不限制於該結構。例如，可採用一種結構，其中光學調整層係提供在半透射和半反射電極和電極對中的另一者之間並與電極對中的另一者接觸。也可採用一種結構，其中提供二個光學調整層，其之一者係提供在電極之一者和反射膜(111a、111b或111c)之間且其中的另一者係提供在電極對中的另一者和半透射且半反射膜112之間。
    提供光學調整層之位置如適當可視製造本發明一具體實例之發光面板的容易性決定。
    例如，預期防止在其中雜質諸如水分擴散進入含有發光有機化合物之層103的情形，在形成含有發光有機化合物之層103之後不能進行光蝕刻法。為此原因，在其中具有不同厚度之分鐘(minute)光學調整層係藉由光蝕刻法形成之情形下，光學調整層較佳在形成含有發光有機化合物之層之前形成。
    例如，在其中反射膜提供在基板側上之結構中，光學調整層較佳係提供在反射膜和一對電極中的一者之間，在含有發光有機化合物之層插在該電極對之間；在其中半透射且半反射膜提供在基板側上之結構中，光學調整層較佳係提供在半透射且半反射膜和電極對中的另一者之間。
    光蝕刻法之使用使可於分鐘圖(minute pattern)中能配置具有不同厚度之光學調整層。結果，可提供一種包括高清晰度發光元件且能夠多色光發射之發光面板。
    注意：當含有發光有機化合物之層的厚度增加時，該層也可充當提供在發光面板中的光學調整層之最薄光學調整層。具體來說，在發光面板150中，藉由增加含有發光有機化合物之層103的厚度，含有發光有機化合物之層103也可充當第三發光元件130之光學調整層113c。結果，電極對中的一者可提供與反射膜111c接觸。
    另外，藉由增加含有發光有機化合物之層103的厚度，含有發光有機化合物之層103也可充當第三發光元件130之光學調整層113c，及反射膜111e也可充當電極對中的一者。
    減少發光面板中具有不同厚度之光學調整層的數目，其中含有發光有機化合物之層也充當最薄光學調整層；因此，容易地製造發光面板。
    在其中具有不同厚度之光學調整層藉由使用陰影遮罩方法(也稱金屬遮罩方法)之蒸發方法或濺射法形成的情形中，光學調整層可在形成含有發光有機化合物之層之前或之後形成，及光學調整層也可提供在含有發光有機化合物之層中。
    較佳使用一種使用陰影遮罩方法之形成方法，其中雜質諸如水分擴散進入含有發光有機化合物之層的情形難以發生，其使可能將光學調整層提供在各種位置和增加製造方法的自由度。
    <3.一對電極電極和插在其間的含有發光有機化合物之層的結構>
    一對電極和插在該電極對之間的含有發光有機化合物之層係包括在有機EL元件中。具有各種結構之有機EL元件可應用於本發明之一具體實例，及詳細資料將說明於具體實例4中。
    <4.透射紅光之層的結構>
    透射紅光之層115係提供在與第二發光元件120之半透射且半反射膜重疊的位置中。可使用紅色濾色器作為透射紅光之層115。例如，可使用顏料分散在其中之有機樹脂層作為透射紅光之層115。
    在第二發光元件120中，藉由一對反射膜111b和半透射且半反射膜112所形成的微共振器之光徑長度係調整至長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。結果，包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其被微共振器增強，傳輸通過半透射且半反射膜。透射紅光之層115，(其提供在與半透射且半反射膜重疊之位置中)從混合光提取紅光。
    <5.製造例>
    此處，將參照圖1B描述其中光學調整層也充當一對電極中的一者之情形。第一發光元件210包括光學調整層213a及在反射膜211a和半透射且半反射膜212a之間的含有發光有機化合物之層203。注意：圖1B中所說明之第一發光元件210的光徑長度取決於在反射膜211a和半透射且半反射膜212a之間的距離(以箭頭251指示)。
    透射具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光且具有電導性的光學調整層可用作一對電極中之任一者。在圖1B中所說明之第一發光元件210中，該光學調整層213a也充當一對電極中的一者。結果，可提供一種具有簡化結構且能夠多色光發射之發光面板。
    也充當電極對之任一者的光學調整層可使用(例如)含有氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅、氧化鋅、添加鎵之氧化鋅(GZO)、添加鋁之氧化鋅(AZO)或類似者之導電性薄膜形成。使用石墨、導電性材料之奈米鬚(nanowhisker)、或類似者所形成之薄膜作為非上述材料。
    另外，當反射膜使用導電性材料形成且電連接至一對電極中的一者時，可抑制發光面板之驅動電壓減少，其係由於電極對中的一者的電阻(例如，片電阻)所引起。結果，可提供一種其功率消耗被減少且能夠多色顯示之發光面板。
    在圖1B中所說明之第一發光元件210中，具有電導性之光學調整層213a係堆疊在導電性反射膜211a之上。作為該結構的例子，可給予其中堆疊氧化銦錫(ITO)作為在其中鈦膜堆疊在鋁薄膜之上的反射膜211a之上的光學調整層213a之結構。
    此結構可提供一種簡化結構且即使在其中透明導電性薄膜具有較高電阻的情形下，抑制驅動電壓之增加。
    另外，當採用其中半透射且半反射膜係使用具有電導性且部分反射和部分透射具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光的材料形成結構時，可使用半透射且半反射膜作為電極對中的另一者。結果，可提供一種具有簡化結構且能夠多色光發射之發光面板。
    在圖1B中所說明之第一發光元件210中，導電性半透射且半反射膜212a也充當電極對中的另一者。結果，可提供一種具有簡化結構且能夠多色光發射之發光面板。
    例如，可使用類似於反射薄膜之材料將也可充當電極對中的另一者的半透射且半反射膜形成至大於或等於0.1 nm且小於100 nm之厚度。也可使用可將載子注入含有發光有機化合物之層的金屬。例如，銀、銀和鎂之合金(Mg-Ag合金)、等等因為彼等各具有適合於載子注入之功函數以及容易地被形成均勻薄膜的能力而為較佳。
    本發明之一具體實例的發光面板包括第一發光元件，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；第二發光元件，其發射藉由提取通過透射紅光之層的混合光而獲得之紅光；及第三發光元件，其發射具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強。
    因此，可獲得一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，及第三發光元件發射不同於第一發光元件所發射之光的色彩和第二發光元件之紅色的鮮明色彩的光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩之光的層；因此，可有效地使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光面板。
    注意：此具體實例可與本說明書中任何其他具體實例自由組合。 (具體實例2)
    在此具體實例中，將參照圖2說明一種包括第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件及第四發光元件之發光面板。在第一發光元件中，含有發光有機化合物之層，其係插在一對電極之間且發射包括具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光及具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光的光，係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，在其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。在第二發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)，及進一步提供透射紅光之層以便與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，在其之間的光徑長度為長度大於或等於500 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。第三發光元件發射具有高飽和度之綠光。在第四發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，在其之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於500 nm之N/2(N為自然數)。第四發光元件發射具有高飽和度之藍光。
    將給予說明，具體來說，一種包括第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件及第四發光元件之發光面板，在該等發光元件各者中，光學調整層和插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間。含有發光有機化合物之層發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光及具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光。第一發光元件和第二發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在一對反射膜和半透射且半反射膜之間的相等光徑長度。在第二發光元件中，提供透射紅光之層以便與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，在一對反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於500 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。在第四發光元件中，在一對反射膜和半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於500 nm之N/2(N為自然數)。
    圖2說明本發明一具體實例之發光面板的結構。圖2中所說明之發光面板包括第一發光元件310、第二發光元件320、第三發光元件330及第四發光元件340。
    第一發光元件310包括在反射膜311a和半透射且半反射膜312之間的光學調整層313a。光學調整層313a也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜312也充當該電極對中的另一者。含有發光有機化合物之層303係提供在光學調整層313a和半透射且半反射膜312之間。
    第二發光元件320包括在反射膜311b和半透射且半反射膜312之間的光學調整層313b。光學調整層313b也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜312也充當該電極對中的另一者。含有發光有機化合物之層303係提供在光學調整層313b和半透射且半反射膜312之間。
    第三發光元件330包括在反射膜311c和半透射且半反射膜312之間的光學調整層313c。光學調整層313c也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜312也充當該電極對中的另一者。含有發光有機化合物之層303係提供在光學調整層313c和半透射且半反射膜312之間。
    第四發光元件340包括在反射膜311d和半透射且半反射膜312之間的含有發光有機化合物之層303。含有發光有機化合物之層303也充當光學調整層，反射膜311d也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜312也充當該電極對中的另一者。
    另外，第二發光元件320包括在半透射且半反射膜312側上的透射紅光之層315。
    注意：圖2中所說明之發光面板350的第一發光元件310之光徑長度取決於在反射膜311a和半透射且半反射膜312之間的距離(以箭頭351指示)。第四發光元件340之光徑長度取決於在反射膜311d和半透射且半反射膜312之間的距離(以箭頭353指示)。
    注意：較佳採用所謂的串聯結構作為含有發光有機化合物之層的結構，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光，及具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光。
    “串聯結構”在此表示一種其中包括至少二個含有發光有機化合物之層和一中間層且中間層係插在在含有發光有機化合物之層之間的結構。
    可形成中間層以包括至少一電荷產生區且可具有其中堆疊電荷產生區和非電荷產生區之層的結構。例如，其中第一電荷產生區、電子繼電層及電子注入緩衝區係以此順序堆疊在陰極之上的結構為中間層之一具體實例。
    串聯結構作為含有發光有機化合物之層的結構為較佳之理由係說明於下。需要使用多種發光有機化合物，以從含有發光有機化合物之層獲得具有各種波長的光發射。然而，當使用彼此接近之多種發光有機化合物時，由於互相作用不能從發光有機化合物得到均勻發射。
    鑑於上述，需要將多種發光有機化合物彼此分開地分散在含有發光有機化合物之層中。例如，有一種其中增加促成光發射之層(稱為發光層)的厚度和分散多種發光有機化合物之方法。然而，當簡單地增加發光層的厚度時，驅動電壓變得非常高，其導致關於電功率之放射效率的減少。
    在相比之下，當使用串聯結構時，驅動電壓之增加緩慢且流過該元件之電流被保持恆定；因此，可抑制發射效率減少。再者，當使用串聯結構時，非發光層之層的厚度可以更自由地改變。結果，可使用含有發光有機化合物之層作為光學調整層之部分且可更自由地設計發光面板，這是方便的。
    本發明一具體實例之發光面板包括第一發光元件，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；第二發光元件，其發射藉由提取通過透射紅光之層的混合光而獲得之紅光；第三發光元件，其發射具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；及第四發光元件，其發射具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強。
    因此，可獲得一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，第三發光元件發射綠光及第四發光元件發射藍光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩之光的層；因此，可有效地使用來自含有發光有機化合物之層所發射的光。特別是，當產生包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光時，第一發光元件可比在其他發光元件之任二個發光之情形更有效地產生混合光。因此，在產生位於色度圖之中心或接近中心的色彩(例如，白色)之光的情形下，當藉由混合從第一發光元件發射之光與其他發光元件之一者發射之光時，整個面板之功率消耗可被減少。結果，可提供一種能夠鮮明全彩光發射且其功率消耗被減少之發光面板。 (具體實例3)
    在此具體實例中，將參照圖3A至3C說明一種用以製造包括第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件及第四發光元件的發光面板之方法。在第一發光元件中，含有發光有機化合物之層，其係插在一對電極之間且發射包括具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光的光，係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。在第二發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)，及進一步提供透射紅光之層以使與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於500 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。第三發光元件發射具有高飽和度之綠光。在第四發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於500 nm之N/2(N為自然數)。第四發光元件發射具有高飽和度之藍光。
    <第一步驟>
    在第一步驟中，在基板之上形成反射膜。反射膜可藉由適合於該材料之方法使用具體實例1中所給予之任何材料形成。在此具體實例中，藉由濺射法在玻璃基板300之上形成導電性反射膜311。可給予其中鈦膜堆疊在鋁-鈦合金薄膜之上的堆疊薄膜作為導電性反射膜311的例子。
    <第二步驟>
    在第二步驟中，在反射薄膜之上形成光學調整層。光學調整層可藉由適合於該材料之方法使用具體實例1中所給予之任何材料形成。提供在第一發光元件和第二發光元件中的光學調整層之厚度為相同。在此具體實例中，作為光學調整層、藉由濺射法在導電性反射膜311之上形成透光導電性薄膜。作為透光導電性薄膜的例子，可給予氧化銦錫(ITO)之薄膜。
    <第三步驟>
    在第三步驟中，在充當第三發光元件之區中形成比提供在充當第一發光元件和第二發光元件之的區光學調整層薄的光學調整層313c。在此具體實例中，形成覆蓋充當第一發光元件和第二發光元件之區的抗光蝕遮罩401a，且然後減少在充當第三發光元件之區中的光學調整層之厚度。作為減少厚度之方法，例如，在已設定預定蝕刻速率之條件下進行乾蝕刻經預定之時間長度。注意：圖3A說明在此時之結構。
    <第四步驟>
    在第四步驟中，薄化充當第四發光元件之區中的光學調整層以便比提供在充當第三發光元件之區中的光學調整層薄。在此具體實例中，形成覆蓋充當第一至第三發光元件之區的抗光蝕遮罩401b，且然後藉由蝕刻除去在充當第四發光元件之區中的光學調整層。注意：圖3B說明在此時之結構。
    其次，使用抗光蝕遮罩401c蝕刻反射膜311和光學調整層(313a、313b及313c)以形成充當電極對中的一者之電極。具體來說，進行反射膜之分隔和光學調整層之分隔以致反射膜311a和光學調整層313a包括在充當第一發光元件之區中；反射膜311b和光學調整層313b包括在充當第二發光元件之區中；反射膜311c和光學調整層313c包括在充當第三發光元件之區中；及反射膜311d包括在充當第四發光元件之區中。注意：圖3C說明在此時之結構。
    其次，形成分隔牆304。分隔牆304在包括在第一發光元件310至第四發光元件340中之電極對中的一者之表面上具有開口部分。分隔牆304可具有各種形狀。通常，分隔牆304可具有含有發光有機化合物之層及/或電極對中另一者被其切割致使分開在相鄰發光元件中的形狀，或含有發光有機化合物之層及/或電極對中另一者以其防止被切割致使在相鄰發光元件中連續的形狀。
    為了切割含有發光有機化合物之層及/或電極對中另一者，例如，分隔牆304可具有一形狀，其中位在與電極對中另一者接觸的腿部分之上的臺階部分以平行於基板表面的方向伸出腿部分，具體來說，諸如倒錐形狀或屋簷形狀的形狀。
    為了防止含有發光有機化合物之層及/或電極對中另一者被切割，例如，分隔牆304可具有大於或等於10°且小於或等於85°，較佳大於或等於60°且小於或等於80°之邊緣部分的錐角，其係與電極對中的一者接觸。注意：圖4A說明在此時之結構。
    <第五步驟>
    在第五步驟中，形成與第一發光元件310之光學調整層313a、第二發光元件320之光學調整層313b、第三發光元件330之光學調整層313c及第四發光元件340之反射膜311d接觸的含有發光有機化合物之層303，其發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光及具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光。
    使用具體實例1或具體實例4中所給予之任何材料藉由適合於該材料之方法形成含有發光有機化合物之層303。作為含有發光有機化合物之層303的形成方法，可使用一種包括噴墨法或類似者之印刷方法，以及真空蒸發法或塗布法。
    注意：在此具體實例中形成發射白光的含有發光有機化合物之層303。
    <第六步驟>
    在第六步驟中，形成導電性半透射且半反射膜312以便與含有發光有機化合物之層303接觸且與第一發光元件310之光學調整層313a、第二發光元件320之光學調整層313b、第三發光元件330之光學調整層313c及第四發光元件340之反射膜311d重疊。半透射且半反射膜312可以下列之方式形成：藉由調整其厚度以致金屬薄膜部分反射和部分透射具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光來形成金屬薄膜。
    <第七步驟>
    在第七步驟中，提供透射紅光之層315以便與第二發光元件320之半透射且半反射膜312重疊。透射紅光之層315係以結合配備透射紅光之層315的密封基板360以致透射紅光之層315與第二發光元件320之半透射且半反射膜312重疊和將密封基板360之位置調整至玻璃基板300的位置之方式提供。透過上述步驟，製造本發明一具體實例之發光面板350。圖4B說明發光面板350之結構。
    根據製造本發明之一具體實例的發光面板之方法，不需要為了個別發光元件單獨地形成含有發光有機化合物之層；因此，不使用金屬遮罩(也稱為陰影遮罩)。結果，可透過一種簡單且具高產率的方法製造發光面板。
    另外，在形成含有發光有機化合物之層之前藉由光蝕刻法形成發光元件；因此，可容易地形成一種高清晰度發光元件。
    藉由形成二種具有不同厚度之光學調整層的步驟和形成紅色濾色器的步驟，可製造一種包括四種發射不同色彩之光的發光元件(具體來說，發射紅色、綠色、藍色的光且具有高亮度之淡色的發光元件)之發光面板。結果，可提供一種用以製造能夠全彩光發射的發光面板之簡單方法。
    注意：此具體實例可與本說明書中任何其他具體實例自由組合。 (具體實例4)
    在此具體實例中，將參照圖5A至5C和圖6A和6B說明含有插在一對電極之間的發光有機化合物之層103的結構之例子，其可使用於本發明一具體實例之發光面板。在此具體實例中，一對電極和插在該對電極之間的含有發光有機化合物之層統稱為發光單元。
    在此具體實例中描述作為實例之發光單元包括第一電極、第二電極及提供在第一電極和第二電極之間的含有發光有機化合物之層(以下稱為EL層)。第一電極和第二電極中的一者充當陽極，及另一者充當陰極。EL層係提供在第一電極和第二電極之間，及EL層之結構可根據第一電極和第二電極之材料適當地選擇。發光單元之結構的例子將說明於下；不用說，該發光單元的結構並不限於此實例。
    <發光單元的結構例1>
    圖5A說明發光單元之結構的例子。在圖5A中所說明之發光單元中，EL層1103係插在陽極1101和陰極1102之間。
    當高於發光單元之閾電壓的電壓施加於陽極1101和陰極1102之間時，電洞從陽極1101側注入至EL層1103和電子從陰極1102側注入至EL層1103。注入之電子和電洞在EL層1103中再結合，以致包含在EL層1103之發光物質發光。
    EL層1103可包括至少一含有發光物質之發光層，且可具有其中堆疊非發光層之層和發光層之結構。非發光層之層的例子包括含有具有高電洞注入性質的物質之層、具有高電洞傳輸性質的物質、具有不良電洞傳輸性質之物質(攔阻電洞之物質)、具有高電子傳輸性質的物質、具有高電子注入性質之物質及具有雙極性質(具有高電子傳輸性質的物質和高電洞傳輸性質)之物質。
    圖5B說明EL層1103之具體結構的例子。圖5B中所說明之EL層1103具有其中電洞注入層1113、電洞傳輸層1114、發光層1115、電子傳輸層1116及電子注入層1117係以始於陽極1101側之此順序堆疊的結構。
    <發光單元的結構例2>
    圖5C說明發光單元之結構的另一實例。在如圖5C中的實例所說明之發光元件中，EL層1103係插在陽極1101和陰極1102之間。此外，中間層1104係提供在陰極1102和EL層1103之間。注意：類似於發光單元之結構例1中的結構可應於發光單元之結構例2中的EL層1103且詳細資料可參考發光單元之結構例1的說明。
    可形成中間層1104以包括至少一電荷產生區，且可具有其中堆疊電荷產生區和非電荷產生區之層的結構。例如，可採用其中第一電荷產生區1104c、電子繼電層1104b及電子注入緩衝區1104a以始於陰極1102側之順序堆疊的結構。
    說明電子和電洞在中間層1104中的特性。當高於發光單元之閾電壓的電壓施加於陽極1101和陰極1102之間時，電洞和電子係在第一電荷產生區1104c產生，且電洞移進陰極1102和電子移進電子繼電層1104b。電子繼電層1104b具有高電子傳輸性質且立刻將在第一電荷產生區1104c中所產生的電子轉移至電子注入緩衝區1104a。電子注入緩衝區1104a可減少抵抗電子注入EL層1103之障礙，以致電子注入EL層1103之效率可被改良。因此，在第一電荷產生區1104c中所產生的電子通過電子繼電層1104b和電子注入緩衝區1104a而注入EL層1103之LUMO能階。
    另外，電子繼電層1104b可防止其中包括在第一電荷產生區1104c中的物質和包括在電子注入緩衝區1104a的物質在彼等之間的界面彼此反應之相互作用而損害第一電荷產生區1104c和電子注入緩衝區1104a的功能。
    可使用於發光單元之結構例2中的陰極之材料的選擇範圍係比可使用於發光單元之結構例1中的陰極之材料寬。這是因為結構例2中之陰極可接受由中間層所產生之電洞且可使用具有較高功函數之材料。
    <發光單元的結構例3>
    圖6A說明發光單元之結構的另一實例。在如圖6A中的實例所說明之發光元件中，二個EL層係提供在陽極1101和陰極1102之間。此外，中間層1104係提供在EL層1103a和EL層1103b之間。
    注意：提供在陽極和陰極之間的EL層之數目不限於二。如圖6B中的實例所說明之發光單元具有其中堆疊多個EL層1103之結構，即所謂的串聯結構。注意：在其中n(n為2或更大之自然數)個EL層1103係提供在陽極和陰極之間的情形下，中間層1104係提供在第m個(m為大於或等於1且小於或等於n-1之自然數)EL層和第(m+1)個EL層之間。
    注意：類似於發光單元之結構例1的結構可應用於發光單元的結構例3之EL層1103；類似於發光單元之結構例2的結構可應用於發光單元的結構例3之中間層1104。因此，詳細資料可參考發光單元之結構例1的說明或發光單元之結構例2的說明。
    說明提供在EL層之間的中間層1104中之電子和電洞的特性。當高於發光單元之閾電壓的電壓施加於陽極1101和陰極1102之間時，電洞和電子係在中間層1104產生，且電洞移進提供在陰極1102側上之EL層和電子移進提供在陽極1101側上之EL層。注入提供在陰極側上之EL層的電洞係與從陰極側注入之電子再結合，以致包含在EL層之發光物質發光。注入提供在陽極側上之EL層的電子係與從陽極側注入之電洞再結合，以致包含在EL層中之發光物質發光。因此，中間層1104中所產生之電洞和電子在個別EL層中引起光發射。
    注意：在其中結構與藉由提供彼此接觸之EL層在EL層之間形成中間層相同之情形下，可形成彼此接觸之EL層。具體來說，當電荷產生區在EL層之一表面上形成時，電荷產生區充當中間層之第一電荷產生區；因此，可形成彼此接觸之EL層。
    發光單元之結構例1至3可組合地實現。例如，在發光單元之結構例3中，中間層可提供在陰極和EL層之間。
    <用於發光單元的材料>
    其次，將說明可使用於具有上述結構的發光單元之具體材料。用於陽極、陰極、EL層、第一電荷產生區、電子繼電層及電子注入緩衝區的材料將以此順序說明。
    <用於陽極的材料>
    陽極1101較佳係使用具有高功函數(具體來說，高於或等於4.0 eV之功函數為更佳)的金屬、合金或導電性化合物、其混合物、或類似者形成。具體來說，作為其例子，給予氧化銦-氧化錫(氧化銦錫；ITO)、含矽或氧化矽的氧化銦錫、氧化銦鋅(IZO)、含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦(IWZO)、等等。
    這些導電金屬氧化物的薄膜一般藉由濺射法形成，但也可應用溶膠-凝膠法或類似者形成。例如，氧化銦-氧化鋅的薄膜可藉由使用其中1重量%或更大且20重量%或更少之氧化鋅加至氧化銦之標靶的濺射法形成。含有氧化鎢及氧化鋅之氧化銦的薄膜可藉由使用其中氧化鎢及氧化鋅分別以0.5重量%或更大且5重量%或更少及0.1重量%或更大且或1重量%更少加至氧化銦之標靶的濺射法形成。
    此外，作為用於陽極1101之材料的例子，可給予下列：金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦)、氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳、氧化鈦、等等。或者，可使用導電性聚合物諸如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)。
    注意：在其中提供與陽極1101接觸之第二電荷產生區的情形中，各種導電性材料可使用於陽極1101而與其功函數無關。具體來說，除了具有高功函數之材料，具有低功函數之材料也可使用於陽極1101。用於形成第二電荷產生區的材料稍後將與用於形成第一電荷產生區的材料一起說明。
    <用於陰極的材料>
    在其中第一電荷產生區1104c係提供在陰極1102和要與陰極1102接觸之EL層1103之間的情形中，各種導電性材料可使用於陰極1102而與其功函數無關。
    注意：使用透射可見光之導電性薄膜形成陰極1102和陽極1101之至少一者。關於透射可見光之導電性薄膜，例如，可給予含氧化鎢的氧化銦、含氧化鎢的氧化銦錫、含氧化鈦的氧化銦、含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(以下稱為ITO)、氧化銦鋅及氧化矽添加至其之氧化銦錫。也可使用具有足以透光之厚度(較佳地，約大於或等於5 nm且小於或等於30 nm)的金屬薄膜。
    <用於EL層的材料>
    包括在EL層1103中之層的材料之具體實例將給予於下。
    電洞注入層為一種含有具有高電洞注入性質的物質之層。作為具有高電洞注入性質的物質，例如，可使用氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳、或類似者。此外，也可能使用以酞青素為主之化合物諸如酞青素(縮寫：H2Pc)或銅酞青素(縮寫：CuPc)、高分子諸如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或類似者以形成電洞注入層。
    注意：電洞注入層可使用第二電荷產生區形成。當第二電荷產生區使用於電洞注入層時，如上所述各種導電性材料可使用於陽極1101而不論彼等之功函數。用於形成第二電荷產生區的材料將於稍後與用於形成第一電荷產生區的材料一起說明。
    電洞傳輸層為一種含有具有高電洞傳輸性質的物質之層。作為具有高電洞傳輸性質的物質之例子，可給予下列：芳族胺化合物諸如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(縮寫：NPB或α-NPD)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯基]-4,4’-二胺(縮寫：TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯基胺(縮寫：BPAFLP)、4,4’,4”-三(N-咔唑-9-基)三苯基胺(縮寫：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基胺基)三苯基胺(TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基]三苯基胺(MTDATA)及4,4’-雙[N-(螺-9,9’-聯茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(縮寫：BSPB)；3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA1)；3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCA2)；3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(縮寫：PCzPCN1)；等等。此外，可給予咔唑衍生物諸如4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(縮寫：CBP)、1,3,5-參[4-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)、等等。所給予之物質在此主要為具有1×10-6 cm2/Vs或更高之電洞遷移率者。注意：也可使用任何其他物質，只要其電洞傳輸性質高於其電子傳輸性質即可。注意：含有具有高電洞傳輸性質的物質之層不侷限於單層且可堆疊二或更多含有上述物質中任何一者之層。
    除了上述物質之外，高分子化合物諸如聚(N-乙烯咔唑)(縮寫：PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(縮寫：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯胺基)苯基]苯基-N’-苯基胺基}苯基)甲基丙烯醯胺](縮寫：PTPDMA)或聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](縮寫：聚-TPD)可使用於電洞傳輸層。
    發光層含有發光物質。作為發光物質，可用於下列任何螢光化合物，例如N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基二苯乙烯-4,4’-二胺(縮寫：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(縮寫：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9,10-二苯基-2-蒽基)三苯基胺(簡稱：2YGAPPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、苝、2,5,8,11-四-第三-丁基苝(縮寫：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(縮寫：PCBAPA)、N,N”-(2-第三-丁基蒽-9,10-二基二-4,1-伸苯基)雙[N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺](縮寫：DPABPA)、N,9-二苯基-N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCAPPA)、N-[4-(9,10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPAPPA)、N,N,N’,N’,N”,N”,N”‘,N”‘-八苯基二苯並[g,p]筷-2,7,10,15-四胺(縮寫：DBC1)、香豆素30；N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(縮寫：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N’,N’-三苯基-1,4-苯二胺(縮寫：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1’-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(縮寫：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(縮寫：DPhAPhA)、香豆素545T、N,N’-二苯基喹吖啶酮(縮寫：DPQd)、紅熒烯、5,12-雙(1,1’-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(縮寫：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲胺基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-亞哌喃-4-基(ylidene))丙二腈(縮寫：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹(quinolizine)-9-基)乙烯基]-4H-亞哌喃-4-基}丙二腈(縮寫：DCM2)、N,N,N’,N’-肆(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(縮寫：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N’,N’-肆(4-甲基苯基)苊並(acenaphtho)[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(縮寫：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹-9-基)乙烯基]-4H-亞哌喃-4-基}丙二腈(縮寫：DCJTI)、2-{2-第三-丁基-6-[2-(1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹-9-基)乙烯基]-4H-亞哌喃-4-基}丙二腈(縮寫：DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲胺基)苯基]乙烯基}-4H-亞哌喃-4-基)丙二腈(縮寫：雙DCM)；2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H-苯並[ij]喹-9-基)乙烯基]-4H-亞哌喃-4-基}丙二腈(縮寫：雙DCJTM)及SD1(產品名；SFC股份有限公司製造)。
    作為發光物質，也可使用下列任何磷光化合物，例如：雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]四(1-吡唑基)硼酸銥(III)(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]吡啶甲酸銥(III)(簡稱：FIrpic)、雙[2-(3’,5’-雙三氟甲基苯基)吡啶-N,C2’]吡啶甲酸銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)]吡啶-N,C2’]乙醯丙酮銥(Ⅲ)(縮寫：FIracac)、參(2-苯基吡啶-N,C2’)銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶)乙醯丙酮(acetylacetonato)銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(ppy)2(acac))、雙(苯並[h]喹啉(quinolinato))乙醯丙酮酸銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(bzq)2(acac))、雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2’)乙醯丙酮銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(dpo)2(acac))、雙[2-(4’-全氟苯基苯基)吡啶]乙醯丙酮銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯並噻唑(benzothiazolato)-N,C2’)乙醯丙酮銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(bt)2(acac))、雙[2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3’]乙醯丙酮銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N,C2’)乙醯丙酮銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(piq)2(acac))、(乙醯丙酮(acetylacetonato))雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹噁啉(quinoxalinato)]銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(2,3,5-(三苯基吡(pyrazinato))銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(tppr)2(acac))、(2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉)鉑(Ⅱ)(縮寫：PtOEP)、參(乙醯丙酮)(單啡咯啉)鋱(III)(縮寫：[Tb(acac)3(Phen)]、參(1,3-二苯基-1,3-丙二酮(propanedionato))(單啡啉)銪(Ⅲ)(縮寫：Eu(DBM)3(Phen))、參[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮(acetonato)](單啡啉)銪(Ⅲ)(縮寫：Eu(TTA)3(Phen))、及(二新戊醯基甲烷(methanato))雙(2,3,5-三苯基吡)銥(III)(縮寫：Ir(tppr)2(dpm))。
    注意：彼等發光物質較佳係分散在主體材料中。作為主體材料，例如，可使用下列：芳族胺化合物諸如NPB(縮寫)、TPD(縮寫)、TCTA(縮寫)、TDATA(縮寫)、MTDATA(縮寫)或BSPB(縮寫)；咔唑衍生物諸如PCzPCA1(縮寫)、PCzPCA2(縮寫)、PCzPCN1(縮寫)、CBP(縮寫)、TCPB(縮寫)、CzPA(縮寫)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：PCzPA)或4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(縮寫：PCBA1BP)；含有高分子化合物之具有高電洞傳輸性質的物質諸如PVK(縮寫)、PVTPA(縮寫)、PTPDMA(縮寫)、或聚-TPD(縮寫)；具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架之金屬錯合物，諸如參(8-羥喹啉)鋁(縮寫：Alq)、參(4-甲基-8-羥喹啉)鋁(縮寫：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(縮寫：BeBq2)或雙(2-甲基-8-羥喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(縮寫：BAlq)；具有噁唑基底或噻唑基底配位基的金屬錯合物，諸如雙[2-(2-羥苯基)苯並噁唑]鋅(縮寫：Zn(BOX)2)或雙[2-(2-羥苯基)苯並噻唑]鋅(縮寫：Zn(BTZ)2)；或具有高電子傳輸性質之物質，諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-第三-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(縮寫：PBD)、1,3-雙[5-(對-第三-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(縮寫：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CO11)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三-丁基苯基)-1,2,4-三唑(縮寫：TAZ)、貝索啡啉(basophenanthroline)(縮寫：BPhen)、或浴銅靈(縮寫：BCP)。
    電子傳輸層為一種含有具有高電子傳輸性質的物質之層。作為具有高電子傳輸性質的物質，例如，可使用具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架之金屬錯合物，諸如諸如Alq(縮寫)、Almq3(縮寫)、BeBq2(縮寫)或BAlq(縮寫)。除了上述，可使用具有噁唑基底或噻唑基底配位基的金屬錯合物，諸如Zn(BOX)2(縮寫)或Zn(BTZ)2(縮寫)。除了金屬錯合物，可使用PBD(縮寫)、OXD-7(縮寫)、CO 11(縮寫)、TAZ(縮寫)、BPhen(縮寫)、BCP(縮寫)、2-[4-(二苯並噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯並噻唑(縮寫：DBTBIm-II)或類似者。本文所給予之物質主要為具有10-6 cm2/Vs或更高之電子遷移率者。注意：也可使用任何其他物質，只要其電子傳輸性質高於其電洞傳輸性質即可。電子傳輸層不侷限於單層且可堆疊二或更多含有上述物質中任何一者之層。
    也可使用高分子化合物。例如，聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](縮寫：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](縮寫：PF-BPy)或類似者。
    電子注入層為一種含有具有高電子注入性質之物質的層。作為具有高電子注入性質之物質的例子可給予下列：鹼金屬或鹼土金屬諸如鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)及氟化鈣(CaF2)，及其化合物。或者，可使用含有具有電子傳輸的物質及鹼金屬、鹼土金屬、鎂(Mg)或其化合物之層。該類結構使可能增加從陰極1102之電子注入的效率。
    作為藉由酌情組合該等層形成EL層1103之方法，可酌情選用各種方法(例如，乾法和濕法)之任何一者。例如，根據可所要使用的材料選擇真空蒸發法、噴墨法、旋塗法或類似者。另外，不同形成方法可使用於各層。
    <用於電荷產生區的材料>
    第一電荷產生區1104c和第二電荷產生區為含有具有高電洞傳輸性質的物質和受體物質之區。電荷產生區在相同薄膜中可不只包括具有高電洞傳輸性質的物質和受體物質且也包括含有具有高電洞傳輸性質的物質之層和含有受體物質之層的堆疊層。注意：在其中第一電荷產生區提供在陰極側上之堆疊層結構的情况下，含有具有高電洞傳輸性質的物質之層係與陰極1102接觸，及在其中第二電荷產生區係提供在陽極側上之堆疊層結構的情况下，含有受體物質之層係與陽極1101接觸。
    注意：受體物質較佳係加至電荷產生區以致受體物質對具有高電洞傳輸性質的物質之質量比為0.1：1至4.0：1。
    作為使用於電荷產生區之受體物質的例子，可給予過渡金屬氧化物和屬於週期表第4至8族中的金屬之氧化物。具體來說，氧化鉬為特佳。注意：氧化鉬具有低吸濕性質。
    作為使用於電荷產生區之具有高電洞傳輸性質的物質，可使用各種有機化合物諸如芳族胺化合物、咔唑化合物、芳族烴及高分子化合物(諸如寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物)之任一者。具體來說，較佳使用具有10-6 cm2/Vs或更高之電洞遷移率的物質。注意：也可使用任何其他物質，只要其電洞傳輸性質高於其電子傳輸性質即可。
    <用於電子繼電層的材料>
    電子繼電層1104b為可以立即接受被第一電荷產生區1104c中的受體物質所提取之電子的層。因此，電子繼電層1104b為含有具有高電子傳輸性質的物質及其LUMO能階位於第一電荷產生區1104c中之受體物質的受體能階和EL層1103的LUMO能階之間的層。具體來說，較佳者為電子繼電層1104b之LUMO能階為大於或等於-5.0 eV且小於或等於-3.0 eV。
    作為用於電子繼電層1104b之物質的例子，例如，可給予苝衍生物和含氮縮合芳族化合物。注意：含氮縮合芳族化合物因為其穩定性而較佳地使用於電子繼電層105。含氮縮合芳族化合物之中，較佳使用具有拉電子基諸如氰基或氟基之化合物，因為該類化合物進一步促進電子在電子繼電層1104b中之接收。
    作為苝衍生物的具體例子，可給予下列：3,4,9,10-苝四羧酸二酐(PTCDA)、3,4,9,10-苝四羧酸雙苯並咪唑(PTCBI)、N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(PTCDI-C8H)、和N,N’-二己基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(Hex PTC)、等等。
    作為含氮稠合芳族化合物的具體例子，可給予下列：吡並[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯(縮寫：HAT(CN)6)、2,3-二苯基吡啶並[2,3-b]吡(2PYPR)、2,3-雙(4-氟苯基)吡啶並[2,3-b]吡(F2PYPR)。
    除了上述以外，7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(縮寫：TCNQ)、1,4,5,8-萘四甲酸二酐(縮寫：NTCDA)、全氟稠五苯、十六氟酞氰銅(縮寫：F16CuPc)、N,N‘-雙(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十五氟辛基)-1,4,5,8-萘四甲酸二醯亞胺(縮寫：NTCDI-C8F)、3’,4’-二丁基-5,5”-雙(二氰基亞甲基)-5,5”-二氫-2,2’：5’,2”-三噻吩(縮寫：DCMT)以及甲橋富勒烯(methanofullerene)(例如，[6,6]-苯基C61丁酸甲酯)或類似者可使用於電子繼電層1104b。
    <用於電子注入緩衝區的材料>
    電子注入緩衝區1104a為一種促進從第一電荷產生區1104c進入EL層1103的電子注入之層。當電子注入緩衝區1104a係提供在第一電荷產生區1104c和EL層1103之間時，彼等之間的注入障礙可被減少。
    任何下列具有高電子注入性質之物質可使用於電子注入緩衝區1104a：鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、上述金屬之化合物(例如，鹼金屬化合物(例如，氧化物諸如氧化鋰、鹵化物及碳酸鹽諸如碳酸鋰或碳酸銫)、鹼土金屬化合物(例如，氧化物、鹵化物及碳酸鹽)、稀土金屬化合物(例如，氧化物、鹵化物及碳酸鹽)、等等。
    另外，在電子注入緩衝區1104a包含具有高電子傳輸性質的物質和予體物質的情況下，予體物質較佳添加以致予體物質對具有高電子傳輸性質的物質的質量比為0.001：1至0.1：1。注意：作為予體物質，可使用有機化合物諸如四硫稠四苯(tetrathianaphthacene)(縮寫：TTN)、二茂鎳或十甲基二茂鎳以及鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、上述金屬之化合物(例如，鹼金屬化合物(包括氧化鋰或類似物之氧化物、鹵化物、及碳酸鹽諸如碳酸鋰或碳酸銫)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物和碳酸鹽)及稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物和碳酸鹽))。注意：作為具有高電子傳輸性質的物質，可使用上述用於可在EL層1103的部分中形成之電子傳輸層的材料之材料。
    在此具體實例中所述之發光單元可藉由組合上述材料製造。使用此發光元件可獲得來自上述發光物質之光發射，及藉由改變發光物質之類型可選擇發光色彩。另外，當使用多個發射不同色彩之光的發光物質時，可擴大發射光譜之寬度且例如，可獲得白光發射。注意：為了獲得白光發射，可使用發射互補色之光的發光物質，例如，可使用發射互補色之光的層或類似者。互補色之具體實例包括藍色和黃色、藍色-綠色和紅色、等等。
    注意：此具體實例可與本說明書中任何其他具體實例自由組合。 (具體實例5)
    在此具體實例中，將參照圖7A和7B和圖8A和8B說明一包括發光面板之發光裝置，該發光面板包括第一發光元件、第二發光元件及第三發光元件。在第一發光元件中，含有發光有機化合物之層，其係插在一對電極之間且發射包括具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光的光，係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)。在第二發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)，及進一步提供透射紅光之層以使與半透射且半反射膜重疊。在第三發光元件中，含有發光有機化合物之層係提供在一對反射膜和半透射且半反射膜之間，其之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。第三發光元件發射具有高飽和度和非紅色之色彩的光。具體來說，將說明主動矩陣發光裝置和被動矩陣發光裝置。因此，在此具體實例中，第一發光元件、第二發光元件和第三發光元件也可分別稱為第一像素、第二像素及第三像素。
    <主動矩陣發光裝置>
    圖7A和7B說明一種在本發明一具體實例之發光面板係應用於主動矩陣發光裝置的情況下之結構。圖7A為發光裝置的頂視圖和圖7B為沿圖7A的線A-B和C-D的剖視圖。
    主動矩陣發光裝置1400包括驅動電路部分(源極側驅動電路)1401、像素部分1402、驅動電路部分(閘極側驅動電路)1403、密封基板1404及密封劑1405(參見圖7A)。注意：被密封劑1405包圍的部分為空間。
    發光裝置1400接收來自外部輸入終端之FPC(撓性印刷電路)1409的視頻信號、時鐘信號、起始信號、重設信號、等等。注意：雖然此處只顯示FPC，但FPC可配備印刷電路板(PWB)。在本說明書中發光裝置其種類不只包括發光裝置本身，且也包括配備FPC或PWB之發光裝置。
    其次，將參照圖7B之剖視圖說明發光裝置的結構。發光裝置1400包括驅動電路部分(其包括在元件基板1410上之所說明的源極側驅動電路1401)和像素部分1402(其包括所說明的像素)。另外，發光裝置1400包括傳送待輸入至源極測驅動電路1401和閘極測驅動電路1403的信號之導線配線1408。
    注意：雖然在此具體實例中源極側驅動電路1401包括CMOS電路，其中組合n通道型TFT 1423和p通道型TFT 1424，但驅動電路不侷限於此結構且可為任何各種電路，諸如CMOS電路、PMOS電路、或NMOS電路。另外，雖然在此具體實例中描述其中在基板上形成驅動電路的驅動集成型，但本發明不侷限於此，且驅動電路可在基板外部形成。
    像素部分1402係使用本發明一具體實例之發光面板形成。發光面板包括多個各自包括開關TFT 1411、電流控制TFT 1412及電連接至電流控制TFT 1412之汲極的第一電極1413之像素。作為提供在像素部分1402中之發光面板的結構，例如，可採用如具體實例1中的實例所述之結構。具體來說，可採用其中開關TFT係提供在包括在如具體實例1中的實例所述之發光面板中的發光元件各者中之結構。注意：形成分隔牆1414以便覆蓋在第一電極1413之終端部分上。在此，分隔牆1414係使用正型光敏性丙烯酸系樹脂薄膜形成。
    另外，形成分隔牆1414以便在其上終端部分或下終端部分具有一具有曲率的曲面。例如，當使用正型光敏性丙烯酸類作為分隔牆1414的材料時，較佳者為分隔牆1414只在上端部分具有一具有半徑曲率(0.2μm至3μm)的曲面。分隔牆1414可使用藉由光照射變得不溶於蝕刻劑中的負型樹脂或者藉由光輻射變得溶於蝕刻劑中的正型樹脂形成。
    在發光裝置1400中，第二電極1417係提供在第一電極1413之上，及含有發光有機化合物之層1416係提供在第一電極1413和第二電極1417之間，藉此形成發光元件1418。作為發光元件1418的結構，例如，可採用包括在如具體實例1中之實例所述之發光面板中的發光元件之結構。
    在此具體實例中描述作為例子之發光裝置1400具有其中包括在本發明一具體實例之發光面板中的發光元件1418係密封在藉由元件基板1410、密封基板1404及密封劑1405包圍之空間1407中之結構。注意：空間1407係裝滿填充劑且可裝滿惰性氣體(例如，氮或氬)或密封劑1405。可提供用於吸收雜質的材料，諸如乾燥劑。
    希望：密封劑1405和密封基板1404係使用允許傳輸盡可能少的空氣中的雜質(例如，水分或氧)之材料形成。作為密封基板1404的例子，除了玻璃基板和石英基板之外，使用玻璃纖維強化塑膠(FRP)、聚氟乙烯(PVF)、聚酯、丙烯酸類、等等形成之塑膠基板。作為密封劑1405，通常，較佳使用環氧系樹脂。
    在上述本發明一具體實例之主動矩陣發光裝置中，可形成一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，及第三發光元件發射不同於第一發光元件和第二發光元件所發射之光的色彩之鮮明色彩的光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩之光的層(例如，濾色器)；因此，可有效地使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光裝置。另外，發光裝置之使用使可能提供顯示一種其即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞且其功率消耗被減少之裝置。
    <被動矩陣發光裝置>
    圖8A和8B說明一種其中本發明一具體實例之發光面板係應用於被動矩陣發光裝置之情形的結構。注意：圖8A為發光裝置之透視圖和圖8B為一沿圖8A中的線X-Y之剖視圖。
    被動矩陣發光裝置2500包括在基板2501之上的第一電極2502。另外，提供絕緣層2505以使覆蓋在第一電極2502之終端部分上，及分隔層2506係提供在絕緣層2505之上。
    使用本發明一具體實例之發光面板製造發光裝置2500。作為發光面板的結構，例如，可採用如具體實例1中的實例中所述之結構。第二電極2503係提供在第一電極2502之上，及含有發光有機化合物之層2504係提供在第一電極2502和第二電極2503之間，以致形成發光元件。作為發光元件的結構，例如，可採用包括如具體實例1中的實例所述之發光面板中的發光元件之結構。
    該分隔層2506的側壁傾斜，以致一側壁與另一側壁之間的距離向基板表面逐漸滅少。換句話說，沿分隔層2506的短側方向取得的剖面為梯形，並且底邊(面對與絕緣層2505之平面方向平行的方向且與絕緣層2505觸接的一側)短於頂邊(面對與絕緣層505之平面方向平行的方向且不與絕緣層2505接觸的一側)。以如上所述提供之分隔層2506，可防止發光元件由於串擾或類似者的缺陷。
    在上述本發明一具體實例之被動矩陣發光裝置中，可形成一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，及第三發光元件發射不同於第一發光元件和第二發光元件所發射之光的色彩之鮮明色彩的光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩之光的層(例如，濾色器)；因此，可有效地使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光裝置。另外，發光裝置之使用使可能提供一種其即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞且其功率消耗被減少之顯示裝置。
    注意：此具體實例可與本說明書中任何其他具體實例自由組合。 (具體實例6)
    在此具體實例中，將參照圖9A至9E說明其中併入本發明一具體實例之發光面板的發光裝置之例子。
    適用發光裝置之電子裝置的例子包括電視裝置(也稱為TV或電視接收器)、電腦或類似者之螢幕、相機諸如數位相機或數位攝影機、數位相框、手機(也稱為可攜式電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端機、音頻再生裝置、大型遊戲機諸如柏青哥機、等等。這些電子裝置的具體例子係說明下圖9A至9E中。
    圖9A說明一種電視裝置的例子。在電視裝置7100中，顯示部分7103併入殼體7101中。顯示部分7103能夠顯示影像，及發光裝置可用於顯示部分7103。此外，在此，殼體7101係由支架7105支撐。
    可用殼體7101的操作開關或分開的遙控器7110操作電視裝置7100。利用遙控器7110的操作鍵7109，可控制頻道及音量，以致可控制顯示部7103上所顯示的影像。再者，遙控器7110可備有顯示從遙控器7110輸出的資訊之顯示部分7107。
    注意：電視裝置7100係配備接收器、數據機、等等。使用接收器，可接收一般的電視廣播。再者，當顯示裝置7100以有線或無線方式經由數據機連接到通信網路時，可進行單向(從發送器到接收器)或雙向(在發送器和接收器之間或在接收器之間、或類似者)的資訊通信。
    圖9B說明一種電腦，其包括主體7201、殼體7202、顯示部分7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、定位裝置7206、等等。此電腦係藉由將發光裝置使用於顯示部分7203製造。
    圖9C說明一種具有二個殼體(以接合部分7303連接以使可攜式遊戲機可打開或折疊的殼體7301及殼體7302)之可攜式遊戲機。顯示部分7304係併入殼體7301中及顯示部分7305係併入殼體7302中。此外，圖9C中所說明之可攜式遊戲機包括揚聲器部分7306、記錄媒體插入部分7307、LED燈7308、輸入裝置(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(具有測量力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動頻率、距離、光、液體、磁性、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流率、濕度、梯度、振動、氣味或紅外線之功能的感測器)或麥克風7312)、等等。不用說，可攜式遊戲機之結構不侷限於上述，只要發光裝置可使用於顯示部7304和顯示部7305中的至少一者或兩者即可，且如適當可包括其他附件。圖9C中所說明之可攜式遊戲機具有讀取儲存於記錄媒體中的程式或資料並將其顯示在顯示部分上的功能及以無線通信與另一可攜式遊戲機共用資訊的功能。注意：圖9C中之可攜式遊戲機可具有各種功能而不侷限於上述功能。
    圖9D說明一種行動電話的例子。該行動電話7400配備併入殼體7401之顯示部分7402、操作鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406、等等。注意：行動電話7400係藉由將發光裝置使用於顯示部分7402製造。
    當用手指或類似者觸摸圖9D中所說明之行動電話7400的顯示部分7402時，可將資訊輸入行動電話。另外，使用者藉由用手指或類似者觸摸顯示部7402可打電話或撰寫電子郵件。
    顯示部分7402主要有三種螢幕模式。第一模式是主要用於顯示影像的顯示模式。第二模式是主要用於輸入資訊諸如文字的輸入模式。第三模式是組合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
    例如，在打電話或撰寫郵件的情況下，顯示部分7402係選擇主要用於輸入文字的文字輸入模式以致可輸入在螢幕上顯示的文字。在此情況下，較佳的是：在顯示部分7402之幾乎整個螢幕上顯示鍵盤或數字按鈕。
    當行動電話7400內部配備檢測裝置(包括用於檢測傾斜度的感測器，諸如陀螺儀或加速度感測器)時，藉由決定行動電話7400的方向(無論電話是以景觀模式或肖像模式被水平或垂直放置)可自動改變顯示部分7402的螢幕上之顯示。
    藉由觸摸顯示部分7402或操作殼體7401的操作鈕7403來切換螢幕模式。或者，可根據顯示部分7402上所顯示的影像之種類而切換螢幕模式。例如，當顯示部分上所顯示的影像之信號為移動影像資料之信號時，將螢幕模式切換成顯示模式。當信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
    再者，在輸入模式下，當在特定期間內沒有進行藉由觸摸顯示部分7402的輸入而檢測出由顯示部分7402中的光感測器所檢測的信號時，可以控制螢幕模式以使從輸入模式切換成顯示模式。
    可以將顯示部分7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部分7402，取得掌紋、指紋或類似者之影像，藉此可進行個人身份驗證。另外，藉由將發射近紅外光的背光燈或感應光源提供於顯示部分，還可取得手指靜脈、手掌靜脈或類似者的影像。
    圖9E說明一照明裝置的例子。在照明裝置7500中，本發明一具體實例之發光裝置7503a至7503d係併入殼體7501中充當光源。照明裝置7500可連接於天花板、牆或類似者。
    本發明一具體實例之發光面板包括於薄膜形式的發光面板。因此，當發光裝置被連接到具有曲面之基座時，可獲得具有曲面的發光裝置。此外，當發光裝置位於具有曲面的殼體中時，可獲得具有曲面的電子裝置或照明裝置。
    另外，發光裝置包括一種發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光、鮮紅色的光、及不同於其他色彩之鮮明色彩的光之發光面板。藉由調整每個發光色彩驅動發光元件的條件，可以實現其色調可由用戶調整之照明裝置。
    在上述本發明一具體實例之發光裝置中，可形成發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，及第三發光元件發射不同於第一發光元件和第二發光元件所發射之光的色彩之鮮明色彩的光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩之光的層(例如，濾色器)；因此，可有效地使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種能夠多色光發射且其功率消耗被減少之發光裝置。
    注意：此具體實例可與本說明書中任何其他具體實例自由組合。 (具體實例7)
    在此具體實例中，將參照圖10A和10B說明其中併入本發明一具體實例之發光面板之發光裝置的例子。具體來說，將說明一種用於照明之發光裝置(照明裝置或照明設備)。
    根據本發明之一具體實例，可獲得一種其中具有曲面之發光部分的照明裝置。
    本發明之一具體實例也可應用於汽車中的照明；例如，照明可以很容易地安裝在儀表板、天花板、或等等。
    圖10A說明一種提供在天花板上的本發明之具體實例應用於其之室內照明裝置901、提供在牆表面上之照明裝置904及桌燈903。因為發光裝置可具有較大面積，所以其可用作具有大面積之照明裝置。
    圖10B說明照明裝置之另一例子。圖10B中所說明之桌燈包括照明部分9501、支柱9503、支柱基座9505，等等。照明部分9501包括本發明一具體實例之發光面板。根據本發明之一具體實例，可獲得具有曲面之照明裝置。 [實例]
    將說明可使用於本發明之一具體實例中的發光面板中之發光元件之結構、製造發光元件之方法及發光元件之特性的測量結果。
    將參照圖11A和11B和表1說明包括在此實例中所製造之發光面板的四個發光元件之結構。
    <發光元件的結構>
    圖11A說明四個發光元件之結構。第一發光元件510包括在反射膜511a和半透射且半反射膜512之間的光學調整層513a。光學調整層513a也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜512也充當該電極對中的另一者。此外，含有發光有機化合物之層503係提供在光學調整層513a和半透射且半反射膜512之間。
    第二發光元件520包括在反射膜511a和半透射且半反射膜512之間的光學調整層513b。光學調整層513b也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜512也充當該電極對中的另一者。此外，含有發光有機化合物之層503係提供在光學調整層513b和半透射且半反射膜512之間。並且，提供透射紅光之層以便與半透射且半反射膜重疊。
    第三發光元件530包括在反射膜511c和半透射且半反射膜512之間的光學調整層513c。光學調整層513c也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜512也充當該電極對中的另一者。此外，含有發光有機化合物之層503係提供在光學調整層513c和半透射且半反射膜512之間。
    第四發光元件540包括在反射膜511d和半透射且半反射膜512之間的含有發光有機化合物之層503。含有發光有機化合物之層503也充當光學調整層，反射膜511d也充當一對電極中的一者，及半透射且半反射膜512也充當該電極對中的另一者。
    包括第一發光元件510、第二發光元件520及第三發光元件530中且其各充當電極對中的一者的光學調整層全部係使用含矽的氧化銦錫(ITSO)形成。光學調整層513a和光學調整層513b各者的厚度為70 nm和光學調整層513c的厚度為30 nm。注意：在此實例中，例如，第一發光元件510之光徑長度視在反射膜511a和半透射且半反射膜512之間的距離(以箭頭551指示)而定和第四發光元件540之光徑長度視在反射膜511d和半透射且半反射膜512之間的距離(以箭頭553指示)而定。
    <含有發光有機化合物之層的結構>
    圖11B說明含有發光有機化合物之層的結構。含有發光有機化合物之層503具有其中提供二個EL層(第一EL層1503a和第二EL層1503b)以便在彼等之間插入中間層(中間層1504)的結構(該結構也稱為串聯結構)。注意：第一EL層1503a、第二EL層1503b及中間層1504係提供在反射膜511和半透射且半反射膜512之間。
    第一EL層1503a包括電洞注入層1511、第一電洞傳輸層1512、第一發光層1513、第一電子傳輸層1514a，及第二電子傳輸層1514b以此順序在充當一對電極中的一者的導電性薄膜之上。
    中間層1504包括電子注入緩衝區1504a、電子繼電層1504b及電荷產生區1504c以此順序在電子傳輸層1514b之上。
    第二EL層1503b包括第二電洞傳輸層1522、第二發光層1523a、第三發光層1523b、第三電子傳輸層1524a、第四電子傳輸層1524b及電子注入層1525以此順序在中間層1504之上。
    表1顯示包括在EL層中的材料之詳細資料。
    以下所顯示者為此實例中所使用之一些有機化合物的結構式。

    (發光面板的製造)
    其次，將說明一種製造發光面板550之方法。
    首先，藉由濺射法在玻璃基板1100之上形成反射膜。在此具體實例中，使用具有200 nm之厚度的鋁-鈦合金薄膜和其上具有6 nm之厚度的鈦薄膜之堆疊薄膜作為反射膜。
    其次，藉由濺射法在堆疊薄膜之上形成充當光學調整層之含氧化矽的氧化銦錫(縮寫：ITSO)之薄膜至70 nm的厚度。
    其次，形成抗光蝕遮罩以便與充當第一發光元件510和第二發光元件520區重疊稍後以保護ITSO薄膜，藉此將ITSO薄膜的厚度保持70 nm。接著，藉由蝕刻將在充當第三發光元件530和第四發光元件540之區中的ITSO薄膜的厚度，且然後形成抗光蝕遮罩以便在與充當第三發光元件530之區重疊以保護在該區中之ITSO薄膜。接著，藉由蝕刻消除在該充當第四發光元件540之區中的ITSO薄膜。
    其次，使用不同抗光蝕遮罩蝕刻反射膜和ITSO薄膜以在第一至第四發光元件中形成一對電極中的一者。
    在每個發光元件中形成在電極對中的一者的表面上具有開口的隔牆。電極面積為2 mm×2 mm。
    其次，將基板1100固定在提供於真空蒸發裝置中的基板座，以致在其上形成反射膜之表面面向下，並將壓力減至約10-4 Pa。
    其次，在充當電極對中的一者的導電性薄膜上形成電洞注入層1511。作為電洞注入層1511，藉由9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：PCzPA)和氧化鉬(VI)之共蒸發形成含有有機化合物和無機化合物的複合材料之層。含有複合材料之層的厚度為30 nm。將PCZPA對氧化鉬的重量比調整至2：1(=PCZPA：氧化鉬)。注意：共蒸發方法係指一種其中在一個處理室中同時地使用多個蒸發源進行多種材料的蒸發之蒸發方法。其次，在電洞注入層1511上形成電洞傳輸層1512。作為電洞傳輸層1512，藉由使用電阻加熱之蒸發方法將PCzPA沈積至20 nm之厚度。
    其次，在電洞傳輸層1512上形成第一發光層1513。作為第一發光層1513，將9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(縮寫：CzPA)及N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(縮寫：1,6mMemFLPAPrn)共蒸發至30奈米之厚度。調整蒸發率以使CzPA對1,6mMemFLPAP的重量比為1：0.05(=CzPA：1,6mMemFLPAPrn)。
    其次，在第一發光層1513上形成電子傳輸層。電子傳輸層包括第一電子傳輸層1514a和第二電子傳輸層1514b。注意：將CzPA沈積至5 nm之厚度作為第一電子傳輸層1514a，及將貝索啡啉(縮寫：BPhen)沈積至15 nm之厚度作為第二電子傳輸層1514b。
    其次，在電子傳輸層1514b上形成電子注入緩衝區1504a。作為電子注入緩衝區1504a，將鈣沈積至1 nm之厚度。
    其次，在電子注入緩衝區1504a上形成電子繼電層1504b。作為電子繼電層1504b，將銅(II)酞青素(縮寫：CuPc)沈積至2 nm之厚度。
    其次，在電子繼電層1504b上形成電荷產生區1504c。作為電荷產生區1504c，藉由PCzPA和氧化鉬(VI)之共蒸發形成含有有機化合物和無機化合物的複合材料之層。含有複合材料之層的厚度為30 nm。將PCzPA對氧化鉬的重量比調整至2：1(=PCzPA：氧化鉬)。
    其次，在電荷產生區1504c上形成電洞傳輸層1522。作為電洞傳輸層1522，藉由使用電阻加熱之蒸發方法將4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯基胺(縮寫：BPAFLP)沈積至20 nm的厚度。
    其次，在電洞傳輸層1522上形成第二發光層1523a。藉由共蒸發2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(縮寫：2mDBTPDBq-II)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(縮寫：PCBA1BP)和乙醯丙酮(acetylacetonato)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶(pyrimidinato))銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(mppm)2(acac))至20 nm的厚度形成第二發光層1523a。調整蒸發率以使2mDBTPDBq-II對PCBA1BP和Ir(mppm)2(acac)的重量比0.8：0.2：0.06(=2mDBTPDBq-II：PCBA1BP：Ir(mppm)2(acac))。
    其次，在第二發光層1523a上形成第三發光層1523b。藉由共蒸發2mDBTPDBq-II和二特戊醯甲烷(dipivaloylmethanato)雙(2,3,5-三苯基吡(pyrazinato)銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(tppr)2(acac))至20 nm的厚度形成第三發光層1523b。調整蒸發率以使2mDBTPDBq-II對Ir(tppr)z(dpm的重量比)為1：0.02(=2mDBTPDBq-II：Ir(tppr)2(dpm))。
    其次，在第三發光層1523b上形成電子傳輸層。電子傳輸層包括第三電子傳輸層1524a和第四電子傳輸層1524b。注意：將2mDBTPDBq-II形成至15 nm的厚度作為第三電子傳輸層1524a，和Bphen在其上形成至15 nm的厚度作為第四電子傳輸層1524b。
    其次，在第四電子傳輸層1524b上形成電子注入層1525。作為電子注入層1525，將氟化鋰(LiF)蒸發至1 nm的厚度。
    最後，在電子注入層1525上形成半透射且半反射膜512充當一對電極中的另一者。作為充當一對電極中的另一者之半透射且半反射膜512，藉由使用電阻加熱之蒸發方法將銀(Ag)和鎂(Mg)共蒸發至10 nm的厚度，及然後藉由濺射法將氧化銦錫(縮寫：ITO)沈積至50 nm之厚度。透過上述步驟，製造第一發光元件510至第四發光元件540。調整蒸發率以使Ag對Mg的體積比為10：1(=Ag：Mg)。
    將經由上述步驟獲得之第一發光元件510至第四發光元件540密封在氮氛圍下的套手工作箱中以免曝露於空氣。注意：透射紅光之層515係提供在第二發光元件中的位置，其與半透射且半反射膜重疊。
    其次，將說明第一發光元件510、第二發光元件520、第三發光元件530及第四發光元件540的操作特性之測量結果。注意：該測量係在室溫下(在保持於25℃的氛圍中)進行。
    (評估結果)
    圖12、圖13及圖14分別顯示第一發光元件510、第二發光元件520、第三發光元件530及第四發光元件540在電流被施加到每個發光元件的情況下之發射光譜、色度及亮度-電流效率特性。
    第一發光元件於919 cd/m2的亮度之CIE色度座標為(x=0.45,y=0.40)，及放射淡白色的光。第一發光元件於919 cd/m2的亮度之電流效率、電壓及電流密度分別為41.9 cd/A、6.0 V及2.2 mA/cm2。
    第二發光元件於1010 cd/m2的亮度之CIE色度座標為(x=0.67,y=0.33)，及放射紅光。第二發光元件於1010 cd/m2的亮度之電流效率、電壓及電流密度分別為7.1 cd/A、7.0 V及14.2 mA/cm2。
    第三發光元件於1245 cd/m2的亮度之CIE色度座標為(x=0.34,y=0.61)，及放射綠光。第三發光元件於1245cd/m2的亮度之電流效率、電壓及電流密度分別為61.8 cd/A、6.0 V及2.0 mA/cm2。
    第四發光元件於1162 cd/m2的亮度之CIE色度座標為(x=0.16,y=0.20)，及放射藍光。第四發光元件於1162 cd/m2的亮度之電流效率、電壓及電流密度分別為11.6 cd/A、7.4 V及10.0 mA/cm2。
    此實例中所製造之第一至第四發光元件之測量結果顯示：第一發光元件發射包括具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的混合光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；第二發光元件發射藉由通過透射紅光之層提取混合光而得之紅光；第三發光元件發射具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強；及第四發光元件發射具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光，其在一對反射膜和半透射且半反射膜之間被增強。
    因此，可製造一種發光面板，其中第一發光元件發射具有高亮度和淡色且即使在長期使用的情况下減少眼睛疲勞的光，第二發光元件發射鮮紅色的光，第三發光元件發射綠光，及第四發光元件發射藍光。另外，除了第二發光元件之外，所有發光元件中不提供透射特定色彩之光的層；因此，可有效地使用從含有發光有機化合物之層發射的光。結果，可提供一種能夠鮮明全彩光發射且其功率消耗被減少之發光面板。
    (參考例)
    在此參考例中，將說明實例中所使用之材料。
    <1,6mMemFLPAPrn的合成>
    N-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(縮寫：1,6mMemFLPAPrn)的合成例
    [步驟1：合成3-甲基苯基-3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基胺(縮寫：mMemFLPA)的方法]
    在200 mL三頸燒瓶中放入3.2 g(8.1 mmol)的9-(3-溴苯基)-9-苯基茀和2.3 g(24.1 mmol)的第三-丁醇鈉。用氮氣取代燒瓶中的空氣。將40.0 mL的甲苯、0.9 mL(8.3 mmol)的間-甲苯胺和0.2 mL的三(三級丁基)膦的10%己烷溶液加至此混合物中。將此混合物的溫度設定為60℃，且將44.5 mg(0.1 mmol)雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)加至混合物中。將混合物的溫度升高至80℃，接著攪拌2.0小時。攪拌之後，通過Florisil(由和光純藥工業股份有限公司生產，目錄編號540-00135)、Celite(由和光純藥工業股份有限公司生產，目錄編號531-16855)和氧化鋁將混合物進行吸濾以產生濾液。濃縮濾液以獲得固體，其然後藉由矽凝膠管柱層析(展開溶劑具有己烷對甲苯的1：1比)純化。進行從甲苯和己烷之混合物的再結晶。從而，獲得2.8克白色固體，82%產率，其為目標物質。步驟1的合成流程係顯示於下列流程(J-1)中。
    [步驟2：合成N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(縮寫：1,6mMemFLPAPrn)的方法]
    在100 mL三頸燒瓶中放入0.6 g(1.7 mmol)的1,6-二溴芘、1.4 g(3.4 mmol)的3-甲基苯基-3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基胺和0.5 g(5.1 mmol)的第三-丁醇鈉。用氮氣取代燒瓶中的空氣。將21.0 mL的甲苯和0.2 mL的三(三級丁基)膦之10%己烷溶液加至此混合物中。將此混合物的溫度設定為60℃，且將34.9 mg(0.1 mmol)的雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)加至混合物中，接著攪拌3.0小時。攪拌之後，將400 mL的甲苯加至混合物中，且加熱該混合物。將混合物保持熱的，通過Florisil(由和光純藥工業股份有限公司生產，目錄編號540-00135)、Celite(由和光純藥工業股份有限公司生產，目錄編號531-16855)和氧化鋁將混合物進行吸濾以產生濾液。將濾液濃縮而產生固體，其然後藉由矽凝膠管柱層析(展開溶劑具有己烷對甲苯的3：2比)進行純化以產生黃色固體。將所得黃色固體從甲苯和己烷的混合溶劑中再結晶產生1.2克的黃色固體，67%產率，其為目標物質。
    藉由分段式昇華方法，將1.0 g的所得淡黃色固體純化。在純化中，在2.2 Pa之壓力與5.0 mL/min之氬氣流速下於317℃加熱該黃色固體。純化之後，獲得1.0克的黃色固體，93%產率，其為目標物質。步驟2的合成流程係顯示於下列(J-2)中。
    核磁共振(NMR)方法確定此化合物為N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(縮寫：1,6mMemFLPAPrn)，其為目標物質。
    所得化合物之1H NMR數據如下：1H NMR(CDCl3，300 MHz)：δ=2.21(s，6H)，6.67(d，J=7.2Hz，2H)，6.74(d，J=7.2Hz，2H)，7.17-7.23(m，34H)，7.62(d，J=7.8Hz，4H)，7.74(d，J=7.8Hz，2H)，7.86(d，J=9.0Hz，2H)，8.04(d，J=8.7Hz，4H)。
    <2mDBTPDBq-II的合成例>
    將說明合成2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(縮寫：2mDBTPDBq-II)的方法。
    [2mDBTPDBq-II的合成]
    用於合成2mDBTPDBq-II的流程係顯示於(C-1)中。
    在2L三頸燒瓶中放入5.3 g(20 mmol)的2-氯二苯並[f,h]喹噁啉、6.1 g(20 mmol)的3-(二苯並噻吩-4-基)苯基硼酸、460 mg(0.4 mmol)的肆(三苯膦)鈀(0)、300 mL的甲苯、20 mL的乙醇及20 mL的2M碳酸鉀水溶液。藉由在減壓下攪拌將混合物除氣，及以氮氣取代燒瓶中之大氣。將此混合物在氮氣流下於100℃攪拌7.5小時。冷卻至室溫之後，將所得混合物過濾以產生白色物質。將藉由過濾所得之物質用水和乙醇以此順序洗滌，且然後乾燥。將所得固體溶解在約600 mL的熱甲苯中，接著通過Celite(由和光純藥工業股份有限公司生產，目錄編號531-16855)和Florisil(由和光純藥工業股份有限公司生產，目錄編號540-00135)進行吸濾以產生無色透明濾液。將所得濾液濃縮並藉由矽凝膠管柱層析純化。使用熱甲苯作為展開溶劑進行層析。將丙酮和乙醇加至在此所得之固體，接著用超音波照射。然後，過濾所產生之懸浮固體並將所得固體乾燥以產生7.85 g的白色粉末，80%之產率，其為目標物質。
    上述目標物質，較易溶於熱甲苯，但材料冷卻時容易沉澱。另外，該物質難溶於其他有機溶劑諸如丙酮和乙醇。因此，利用這些不同程度的溶解性，藉由如上所述之簡單方法導致高產率合成。具體來說，反應完畢後，混合物恢復至室溫，並藉由過濾收集沉澱的固體，以使能夠很容易地除去大部分雜質。另外，藉由管柱層析法使用熱甲苯作為展開溶劑，所產生的物質(其很容易沉澱)能夠很容易地被純化。
    藉由分段式昇華方法，將4.0 g的所得白色粉末純化。在純化中，在5.0 Pa之壓力與5 mL/min之氬氣流速下於300℃加熱該白色粉末。純化之後，獲得3.5克的白色粉末，88%產率，其為目標物質。
    核磁共振(NMR)方法確定此化合物為2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹噁啉(縮寫：2mDBTPDBq-II)，其為目標物質。
    所得物質之1H NMR數據如下：1H NMR(CDCl3，300 MHz)：δ(ppm)=7.45-7.52(m，2H)，7.59-7.65(m，2H)，7.71-7.91(m，7H)，8.20-8.25(m，2H)，8.41(d，J=7.8Hz，1H)，8.65(d，J=7.5Hz，2H)，8.77-8.78(m，1H)，9.23(dd，J=7.2Hz，1.5Hz，1H)，9.42(dd，J=7.8Hz，1.5Hz，1H)，9.48(s，1H)。
    <[Ir(mppm)2(acac)]的合成例>
    將說明乙醯丙酮(acetylacetonato)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶(pyrimidinato))銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(mppm)2(acac))的合成例。
    [步驟1：4-甲基-6-苯基嘧啶(縮寫：Hmppm)的合成]
    首先，在配備回流管之回收燒瓶中放入4.90 g的4-氯-6-甲基嘧啶、4.80 g的苯基硼酸、4.03 g的碳酸鈉、0.16 g的雙(三苯膦)二氯化鈀(II)(縮寫：Pd(PPh3)2Cl2)、20 mL的水及10 mL的乙腈，及用氬氣取代燒瓶中的空氣。用微波照射(2.45 GHz，100 W)將此反應容器加熱60分鐘。在此，將燒瓶進一步放入2.28 g的苯基硼酸、2.02 g的碳酸鈉、0.082 g的Pd(PPh3)2Cl2，5 mL的水，及10 mL的乙腈，並用微波照射(2.45 GHz，100 W)將混合物再次加熱60分鐘。接著，將水加至此溶液並用二氯甲烷進行萃取。將萃取所得溶液用飽和碳酸鈉水溶液、水及飽和鹽水以此順序洗滌，及用硫酸鎂乾燥。乾燥之後，過濾溶液。蒸餾掉此溶液之溶劑，且然後藉由矽凝膠管柱層析使用二氯甲烷和乙酸乙酯以9：1的體積比作為展開溶劑將所得殘餘物純化，以便獲得嘧啶衍生物Hmppm，其為目標物質，(橙色油狀物質，46%之產率)。注意：使用微波合成系統(Discover，CEM公司製造)進行微波照射。步驟1之合成流程係顯示於下述(b-1)中。
    [步驟2：二-間-氯-雙[雙(6-甲基-4-苯基嘧啶(pyrimidinato))銥(III)](縮寫：[Ir(mppm)2Cl]2)的合成]
    其次，在配備回流管之回收燒瓶中放入15 mL的2-乙氧基乙醇、5 mL的水、1.51 g的在上述步驟1中所得之Hmppm及1.26 g的氯化銥水合物(IrCl3．H2O)，及用氬氣取代燒瓶中的空氣。接著，用微波(2.45 GHz，100 W)照射進行1小時以引起反應。蒸餾掉溶劑，且然後將所得殘餘物用乙醇洗滌和過濾以產生兩環錯合物[Ir(mppm)2Cl]2(暗綠色粉末，77%之產率)。步驟2之合成流程係顯示於下述(b-2)中。
    [步驟3：乙醯丙酮(acetylacetonato)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶(pyrimidinato))銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(mppm)2(acac))的合成]
    並且，將配備回流管之回收燒瓶中放入40 mL的2-乙氧基乙醇、1.84 g的在步驟2中所得之兩環錯合物[Ir(mppm)2Cl]2、0.48 g的乙醯丙酮及1.73 g的碳酸鈉，並用氬氣取代回收燒瓶中的空氣。接著，用微波(2.45 GHz，100 W)照射進行60分鐘以引起反應。蒸餾掉溶劑，將所得殘餘物溶解在二氯甲烷中，及進行過濾以除去不溶物。將所得濾液用水洗滌及然後用飽和鹽水洗滌，且經過硫酸鈉乾燥。乾燥之後，過濾溶液。蒸餾掉此溶液之溶劑，且然後藉由矽凝膠管柱層析使用二氯甲烷和乙酸乙酯於4：1的體積比作為展開溶劑純化所得殘餘物。接著，用二氯甲烷和己烷的混合溶劑進行再結晶，以致獲得黃色粉末，其為目標物質，(44%之產率)。步驟3之合成流程係顯示於下述(b-3)中。
    步驟3中所得黃色粉末之藉由核磁共振光譜(1H NMR)的分析結果係說明於下。結果顯示此化合物為乙醯丙酮(acetylacetonato)雙(6-甲基-4-苯基嘧啶(pyrimidinato))銥(Ⅲ)(縮寫：Ir(mppm)2(acac))，其為目標物質。
    1H NMR.δ(CDCl3)：1.78(s，6H)，2.81(s，6H)，5.24(s，1H)，6.37(d，2H)，6.77(t，2H)，6.85(t，2H)，7.61-7.63(m，4H)，8.97(s，2H)。
    本申請案係根據在2011年3月25日向日本專利局申請之日本專利申請序案2011-068680，特此以引用方式併入該申請案的全部內容。
    150‧‧‧發光面板
    110‧‧‧第一發光元件
    120‧‧‧第二發光元件
    130‧‧‧第三發光元件
    101a、101b、101c‧‧‧第一電極
    102‧‧‧第二電極
    103‧‧‧含有發光有機化合物之層
    111a、111b、111c‧‧‧反射膜
    113a、113b、113c‧‧‧光學調整層
    112‧‧‧半透射且半反射膜
    115‧‧‧透射紅光之層
    151‧‧‧距離
    153‧‧‧距離
    210‧‧‧第一發光元件
    203‧‧‧含有發光有機化合物的層
    211a‧‧‧反射膜
    212a‧‧‧半透射且半反射膜
    213a‧‧‧光學調整層
    251‧‧‧距離
    350‧‧‧發光面板
    310‧‧‧第一發光元件
    320‧‧‧第二發光元件
    330‧‧‧第三發光元件
    340‧‧‧第四發光元件
    303‧‧‧含有發光有機化合物之層
    315‧‧‧透射紅光之層
    311a、311b、311c、311d‧‧‧反射膜
    312‧‧‧半透射且半反射膜
    313a、313b、313c‧‧‧光學調整層
    354‧‧‧距離
    300‧‧‧玻璃基板
    311‧‧‧導電性反射膜
    401a‧‧‧抗光蝕遮罩
    304‧‧‧分隔牆
    351、353‧‧‧距離
    360‧‧‧密封基板
    1101‧‧‧陽極
    1102‧‧‧陰極
    1103‧‧‧EL層
    1104‧‧‧中間層
    1104a‧‧‧電子注入緩衝區
    1104b‧‧‧電子繼電層
    1104c‧‧‧第一電荷產生區
    1113‧‧‧電洞注入層
    1114‧‧‧電洞傳輸層
    1115‧‧‧發光層
    1116‧‧‧電子傳輸層
    1117‧‧‧電子注入層
    1400‧‧‧主動矩陣發光裝置
    1401‧‧‧源極側驅動電路
    1402‧‧‧像素部分
    1403‧‧‧閘極側驅動電路
    1404‧‧‧密封基板
    1405‧‧‧密封劑
    1407‧‧‧空間
    1408‧‧‧導線配線
    1409‧‧‧FPC
    1410‧‧‧元件基板
    1411‧‧‧開關TFT
    1412‧‧‧電流控制TFT
    1413‧‧‧第一電極
    1414‧‧‧分隔牆
    1416‧‧‧含有發光有機化合物之層
    1417‧‧‧第二電極
    1418‧‧‧發光元件
    1423‧‧‧n通道型TFT
    1424‧‧‧p通道型TFT
    2500‧‧‧被動矩陣發光裝置
    2501‧‧‧基板
    2502‧‧‧第一電極
    2503‧‧‧第二電極
    2504‧‧‧含有發光有機化合物之層
    2505‧‧‧絕緣層
    2506‧‧‧分隔層
    7100‧‧‧電視裝置
    7101‧‧‧殼體
    7103‧‧‧顯示部分
    7105‧‧‧支架
    7107‧‧‧顯示部分
    7109‧‧‧操作鍵
    7110‧‧‧遙控器
    7201‧‧‧主體
    7202‧‧‧殼體
    7203‧‧‧顯示部分
    7204‧‧‧鍵盤
    7205‧‧‧外部連接埠
    7206‧‧‧定位裝置
    7301、7302‧‧‧殼體
    7303‧‧‧接合部分
    7304、7305‧‧‧顯示部分
    7306‧‧‧揚聲器部分
    7307‧‧‧記錄媒體插入部分
    7308‧‧‧LED燈
    7309‧‧‧操作鍵
    7310‧‧‧連接端子
    7311‧‧‧感測器
    7312‧‧‧麥克風
    7400‧‧‧行動電話
    7401‧‧‧殼體
    7402‧‧‧顯示部分
    7403‧‧‧操作鈕
    7404‧‧‧外部連接埠
    7405‧‧‧揚聲器
    7406‧‧‧麥克風
    7500‧‧‧照明裝置
    7501‧‧‧殼體
    7503a至7503d‧‧‧發光裝置
    901‧‧‧室內照明裝置
    903‧‧‧桌燈
    904‧‧‧照明裝置
    9501‧‧‧照明部分
    9503‧‧‧支柱
    9505‧‧‧支柱基座
    1100‧‧‧玻璃基板
    510‧‧‧第一發光元件
    520‧‧‧第二發光元件
    530‧‧‧第三發光元件
    540‧‧‧第四發光元件
    550‧‧‧發光面板
    503‧‧‧含有發光有機化合物之層
    511a、511b、511c、511d‧‧‧反射膜
    512‧‧‧半透射且半反射膜
    513a、513b、513c‧‧‧光學調整層
    515‧‧‧透射紅光之層
    551、553‧‧‧光徑長度
    511‧‧‧反射膜
    1503a‧‧‧第一EL層
    1503b‧‧‧第二EL層
    1504‧‧‧中間層
    1504a‧‧‧電子注入緩衝區
    1504b‧‧‧電子繼電層
    1504c‧‧‧電荷產生區
    1511‧‧‧電洞注入層
    1512‧‧‧第一電洞傳輸層
    1513‧‧‧第一發光層
    1514a‧‧‧第一電子傳輸層
    1514b‧‧‧第二電子傳輸層
    1522‧‧‧第二電洞傳輸層
    1523a‧‧‧第二發光層
    1523b‧‧‧第三發光層
    1524a‧‧‧第三電子傳輸層
    1524b‧‧‧第四電子傳輸層
    1525‧‧‧電子注入層
    圖1A和1B各自說明一種根據一具體實例之發光面板的結構。
    圖2說明一種根據具體實例之發光面板的結構。
    圖3A至3C說明一種用以製造根據一具體實例之發光面板的方法。
    圖4A和4B說明一種用以製造根據一具體實例之發光面板的方法。
    圖5A至5C各自說明一種根據一具體實例的含有插在一對電極之間的發光有機化合物之層。
    圖6A和6B各自說明一種根據一具體實例的含有插在一對電極之間的發光有機化合物之層。
    圖7A和7B說明一種根據一具體實例的發光面板應用於其之發光裝置。
    圖8A和8B說明一種根據一具體實例的發光面板應用於其之發光裝置。
    圖9A至9E各自說明一種根據一具體實例的發光面板應用於其之電子裝置。
    圖10A和10B各自說明一種根據一具體實例的發光面板應用於其之電子裝置。
    圖11A和11B說明一種根據實例之發光元件的結構。
    圖12顯示從根據實例之發光元件發射的光之發射光
    圖13顯示從根據實例之發光元件發射的光之色度。
    圖14顯示根據實例之發光元件的亮度-電流效率特性。
    150‧‧‧發光面板
    110‧‧‧第一發光元件
    120‧‧‧第二發光元件
    130‧‧‧第三發光元件
    101a、101b、101c‧‧‧第一電極
    102‧‧‧第二電極
    103‧‧‧含有發光有機化合物之層
    111a、111b、111c‧‧‧反射膜
    113a、113b、113c‧‧‧光學調整層
    112‧‧‧半透射且半反射膜
    115‧‧‧透射紅光之層
    151‧‧‧距離
    153‧‧‧距離
    权利要求:
    Claims (19)
    [1] 一種發光面板，其包含：第一發光元件；第二發光元件；及第三發光元件，其中該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件各自在一對反射膜和半透射且半反射膜之間包含插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層和光學調整層，其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中含有發光有機化合物之該層發射包含具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的光，其中該第一發光元件和該第二發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的相等光徑長度，其中在該第二發光元件中透射紅光之層係設置在該半透射且半反射膜上，及其中在該第三發光元件中該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。
    [2] 根據申請專利範圍第1項之發光面板，其中該反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光具有大於或等於1%且小於100%之反射率，其中該半透射且半反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之該光具有大於或等於1%且小於100%之反射率，及其中該半透射且半反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之該光具有大於或等於1%且小於100%之透射率。
    [3] 根據申請專利範圍第1項之發光面板，其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中該光學調整層具有電導性，及其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中該光學調整層充當該電極對中的一者。
    [4] 根據申請專利範圍第3項之發光面板，其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中該半透射且半反射膜具有電導性，及其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中該半透射且半反射膜充當該電極對中的另一者。
    [5] 根據申請專利範圍第1項之發光面板，其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中該反射膜具有電導性，及其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件之各者中該反射膜係電連接至該電極對中的一者。
    [6] 根據申請專利範圍第1項之發光面板，其中在該第一發光元件、該第二發光元件和該第三發光元件中該等層係由一連續膜形成。
    [7] 一種包含根據申請專利範圍第1項之發光面板之發光裝置。
    [8] 一種包含根據申請專利範圍第1項之發光面板之照明裝置。
    [9] 一種發光面板，其包含：第一發光元件；第二發光元件；第三發光元件；及第四發光元件，其中該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件及該第四發光元件各自在一對反射膜和半透射且半反射膜之間包含插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層和光學調整層，其中在該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件和該第四發光元件之各者中含有發光有機化合物之該層發射包含具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光，其中該第一發光元件和該第二發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的相等光徑長度，其中在該第二發光元件中透射紅光之層係設置在該半透射且半反射膜上，及其中該第三發光元件中該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於500 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)，及其中在該第四發光元件中該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於500 nm之N/2(N為自然數)。
    [10] 根據申請專利範圍第9項之發光面板，其中該反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光具有大於或等於1%且小於100%之反射率，其中該半透射且半反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之該光具有大於或等於1%且小於100%之反射率，及其中該半透射且半反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之該光具有大於或等於1%且小於100%之透射率。
    [11] 根據申請專利範圍第9項之發光面板，其中在該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件和第四發光元件中該等層係由一連續膜形成。
    [12] 一種包含根據申請專利範圍第9項之發光面板之發光裝置。
    [13] 一種包含根據申請專利範圍第9項之發光面板之照明裝置。
    [14] 一種發光面板，其包含：第一發光元件；及第二發光元件；其中該第一發光元件和該第二發光元件各自在一對反射膜和半透射且半反射膜之間包含插在一對電極之間的含有發光有機化合物之層和光學調整層，其中在各個該第一發光元件和該第二發光元件中含有發光有機化合物之該層發射包含具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於600 nm之光的光，其中該第一發光元件具有長度大於或等於600 nm且小於800 nm之N/2(N為自然數)的在該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的相等光徑長度，其中在該第一發光元件中透射紅光之層係設置在該半透射且半反射膜上，及其中在該第二發光元件中該對該反射膜和該半透射且半反射膜之間的光徑長度為長度大於或等於400 nm且小於600 nm之N/2(N為自然數)。
    [15] 根據申請專利範圍第14項之發光面板，其中該反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之光具有大於或等於1%且小於100%之反射率，其中該半透射且半反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之該光具有大於或等於1%且小於100%之反射率，及其中該半透射且半反射膜關於具有波長大於或等於400 nm且小於800 nm之該光具有大於或等於1%且小於100%之透射率。
    [16] 根據申請專利範圍第14項之發光面板，其中在該第一發光元件和該第二發光元件中該等層係由一連續膜形成。
    [17] 一種包含根據申請專利範圍第14項之發光面板之發光裝置。
    [18] 一種包含根據申請專利範圍第14項之發光面板之照明裝置。
    [19] 一種用以製造發光面板之方法，其包含：在第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件和第四發光元件之各者中形成導電性反射膜；在各個該第一發光元件和該第二發光元件中形成第一光學調整層；在該第三發光元件中形成第二光學調整層，該第二光學調整層比該第一光學調整層薄；在該第四發光元件中形成第三光學調整層，該第三光學調整層比該第二光學調整層薄；形成含有發光有機化合物之層以使立即與該第一發光元件之該導電性反射膜、該第二發光元件之該導電性反射膜、該第三發光元件之該導電性反射膜，及該第四發光元件之該導電性反射膜重疊；在該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件和該第四發光元件之各者中形成導電性半透射且半反射膜；及在該第二發光元件中在該導電性半透射且半反射膜上形成透射紅光之層，其中在該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件和該第四發光元件之各者中含有發光有機化合物之該層發射包含具有波長大於或等於600 nm且小於800 nm之光、具有波長大於或等於500 nm且小於600 nm之光和具有波長大於或等於400 nm且小於500 nm之光的光。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011068680||2011-03-25||
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